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文檔簡介
1、非理想第二類超導(dǎo)體的內(nèi)部存在著很多缺陷,如微裂紋、雜質(zhì)等,這些缺陷通常會使得高溫超導(dǎo)材料表現(xiàn)出非均勻性和各向異性。同時,為滿足在微波器件方面的應(yīng)用需求,一般要將高溫超導(dǎo)材料與基體材料相互復(fù)合并制備成為高溫超導(dǎo)薄膜。本文基于有限元法,分別分析了非均勻高溫超導(dǎo)體和超導(dǎo)-基體系統(tǒng)的磁致伸縮。主要工作有以下幾個方面:
1、基于臨界態(tài)Kim模型,針對高溫超導(dǎo)體的非均勻性引入了彈性模量非均勻系數(shù),研究了高溫超導(dǎo)材料的臨界電流密度、彈性模量
2、非均勻性、外加磁場的振幅和頻率等對其磁致伸縮的影響。數(shù)值結(jié)果表明:對于非均勻超導(dǎo)體,其磁致伸縮隨著彈性模量非均勻系數(shù)的增大而增大;同樣地,臨界電流密度、外加磁場的振幅和頻率等增大時,磁致伸縮也隨之增大。
2、研究了超導(dǎo)-基體系統(tǒng)的界面連續(xù)性對磁致伸縮的影響。研究結(jié)果表明:界面處彈性模量的梯度以及平均值都對高溫超導(dǎo)材料非均勻的超導(dǎo)-基體系統(tǒng)的磁致伸縮有影響。其中,界面的連續(xù)性、臨界電流密度以及外加磁場的振幅對其磁致伸縮的影響比較
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