銀納米線(xiàn)的合成及在透明電極中的應(yīng)用研究.pdf

1、ITO是有機(jī)光電器件應(yīng)用最廣泛的陽(yáng)極,而其中不可再生資源銦在自然界存儲(chǔ)量有限,太陽(yáng)能電池、顯示器件對(duì)ITO導(dǎo)電薄膜的需求日益增大,使得ITO價(jià)格水漲船高。加之ITO機(jī)械性能脆弱易碎,限制了器件的發(fā)展。為了尋求其替代品,近年來(lái)一維納米結(jié)構(gòu)如銀納米線(xiàn)(AgNWs)、碳納米管(CNTs)等成為研究熱點(diǎn)。本文針對(duì)這一問(wèn)題對(duì)銀納米線(xiàn)的生長(zhǎng)合成進(jìn)行研究,成功合成了長(zhǎng)徑比良好的銀納米線(xiàn),并將其制備成與ITO導(dǎo)電玻璃光、電性能相當(dāng)?shù)耐该麟姌O。
　

2、　1.銀納米線(xiàn)生長(zhǎng)過(guò)程中的影響因素的研究。利用溶劑熱法,以PVP為表面活性劑,引入氯鹽作為晶種,乙二醇為溶劑和還原劑在高溫下還原硝酸銀,成功制備出銀納米線(xiàn),并對(duì)其進(jìn)行表征。制備的銀納米線(xiàn)直徑為30nm~100nm,長(zhǎng)度為15μm~25μm。研究了 PVP與硝酸銀不同摩爾比對(duì)銀納米線(xiàn)的影響,研究表明摩爾比為3:1時(shí)合成的銀納米線(xiàn)最為理想。研究了不同濃度下金屬鹽NaCl、FeCl3作為晶種的影響。研究表明NaCl為晶種且濃度為30μM合成的

3、銀納米線(xiàn)產(chǎn)量最高。
　　2.基于銀納米線(xiàn)的透明電極的制備研究。將制備的銀納米線(xiàn)通過(guò)離心的方法進(jìn)一步提純后采用旋涂的方法成功制備了透明電極,并對(duì)其進(jìn)行表征和性能評(píng)價(jià)。研究了不同旋涂角速度的影響,結(jié)果表明轉(zhuǎn)速越高透明電極的透明電極的表面電阻和光透過(guò)率越高。同時(shí),增加旋涂次數(shù)會(huì)很大程度上降低其表面電阻。研究表明,當(dāng)旋涂角速度為3000rpm,旋涂2次時(shí),制備的透明電極方阻為10.42Ω/□,可見(jiàn)光透過(guò)率為85.1％,與ITO相當(dāng)。