過渡金屬氧化物-三維石墨烯基復(fù)合電極材料的制備及其電化學(xué)性能研究.pdf

1、超級(jí)電容器作為一種新型的儲(chǔ)能裝置，具有大的功率密度，高的能量密度，大電流放電，充放電速率快，循環(huán)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)成為現(xiàn)階段研究的熱點(diǎn)。單純的（氫）氧化鈷與（氫）氧化鎳具有較高的理論比容量、價(jià)格低廉、制備工藝多等特性，是一種很有潛力的電極材料，而鈷酸鎳作為鎳鈷氧化物的衍生物比單純的氧化鎳、氧化鈷有更好的電子傳導(dǎo)率，成為當(dāng)今研究的熱門電極材料。本論文通過簡單水熱法及后續(xù)退火處理制備了一種導(dǎo)電基底直接負(fù)載鈷酸鎳的整體式電極，此方法制備工藝簡單，

2、活性物質(zhì)的利用率高，電子、離子的轉(zhuǎn)移內(nèi)阻小，因而表現(xiàn)出高的比容量、好的倍率特性及長的循環(huán)壽命等。具體內(nèi)容如下：
　　首先，本文采用簡單的水熱法及后續(xù)退火處理并以硝酸鎳、硝酸鈷和尿素為原料，以氟化銨和六次甲基四胺為輔助劑制備得到了超薄網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)NiCo2O4納米片電極，并在5A·g-1和30 A·g-1的電流密度下的比容量分別為2650 F·g-1和2017 F·g-1。同時(shí)兼具高比電容和良好的倍率性能，具有較好的應(yīng)用前景。在此基礎(chǔ)上

3、，本文還深入研究了水熱反應(yīng)溫度、退火溫度、沉積質(zhì)量等因素對(duì)NiCo2O4電容材料的形貌及其電容行為的影響。
　　其次，在高溫條件下，三維石墨烯生長在泡沫鎳基底上并將其作為集電極，并以氯化鎳、氯化鈷、甲醇及尿素作為基本原料，水熱法制備三維石墨烯基鈷酸鎳，并討論了其電化學(xué)性能。
　　最后，采用改進(jìn)的Hummer法制備氧化石墨烯，通過簡單水熱法形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的石墨烯片層，并希望鈷酸鎳納米材料生長在三維石墨烯基底上，進(jìn)一步的討論研