陣列誤差校正與子陣級(jí)波束形成技術(shù)研究及工程實(shí)現(xiàn).pdf

1、本文依托實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)的某科研項(xiàng)目“基于寬帶數(shù)字陣列天線的XX目標(biāo)無(wú)線電偵測(cè)技術(shù)”，緊密圍繞數(shù)字陣列雷達(dá)信號(hào)處理關(guān)鍵技術(shù)，在陣列幅相及互耦誤差校正、子陣級(jí)波束形成技術(shù)、數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)等三個(gè)方面展開(kāi)深入研究：
　　第一部分研究了陣列幅相和互耦誤差的校正方法。對(duì)窄帶幅相和互耦誤差進(jìn)行建模分析，深入研究了三種典型的窄帶互耦與幅相誤差聯(lián)合校正算法，通過(guò)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)處理分析對(duì)比了算法的性能。針對(duì)寬帶幅相誤差的校正問(wèn)題，結(jié)合本文中DAR系

2、統(tǒng)大帶寬的特點(diǎn)，提出了一種改進(jìn)的基于Fourier變換的校正算法，分析了算法的性能，并通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了算法的有效性。
　　第二部分研究了子陣級(jí)波束形成技術(shù)的相關(guān)問(wèn)題，首先研究了自適應(yīng)波束形成和寬帶波束形成技術(shù)，并從柵瓣周期的角度分析了子陣的劃分方法，給出了不同初級(jí)陣元個(gè)數(shù)和交疊個(gè)數(shù)下柵瓣位置的解析表示和仿真結(jié)果。然后，以 MVDR為例將陣元級(jí)波束形成方法推廣到子陣級(jí)，并且分析對(duì)比了陣元級(jí)和子陣級(jí)算法的性能。最后研究了子陣級(jí)多波束

3、技術(shù)，深入討論了初級(jí)子陣陣元個(gè)數(shù)、次級(jí)子陣陣元個(gè)數(shù)、交疊個(gè)數(shù)、波束個(gè)數(shù)等多個(gè)參數(shù)對(duì)最終多波束性能的影響，并提出工程實(shí)現(xiàn)中多波束的設(shè)計(jì)思路和各方性能的制約關(guān)系。
　　第三部分介紹了數(shù)字陣列雷達(dá)信號(hào)處理系統(tǒng)的工程化實(shí)現(xiàn)技術(shù)。基于課題組設(shè)計(jì)的可拓展通用信號(hào)處理機(jī)，提出了一種基于子陣結(jié)構(gòu)的陣列系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，針對(duì)該方案設(shè)計(jì)了高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)。利用課題組研制的被動(dòng)數(shù)字陣列雷達(dá)樣機(jī)系統(tǒng)在微波暗室開(kāi)展實(shí)驗(yàn)，并通過(guò)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證了本文所研究的陣列校正