三維ZnO-CdTe太陽能電池的制備與性能提升研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩57頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、光伏電池和光電解水是利用太陽能解決能源危機(jī)的兩種主要方式。本文以寬帶隙ZnO單晶納米線(SCNWs)為基礎(chǔ),物理氣相沉積CdTe薄膜,制備高效納米線增強(qiáng)異質(zhì)結(jié)太陽能電池,并嘗試將制備的p-CdTe半導(dǎo)體材料應(yīng)用于光電解水制氫。
  本研究主要內(nèi)容包括:⑴通過物理氣相沉積(PVD)的方法在ZnONWs上沉積致密的CdTe多晶薄膜制備固態(tài)納米線PN結(jié)太陽能電池,探究了最佳的ZnONWs的長(zhǎng)度和CdTe的沉積溫度。優(yōu)化后的電池短路電流最

2、高可達(dá)19mA/cm2,這主要?dú)w因于ZnO NWs和CdTe膜層良好的結(jié)晶性,有利于光生載流子的分離和快速傳輸。⑵ZnO NWs/CdTe太陽能電池在獲得高短路電流的同時(shí),其開路電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于ZnO/CdTe薄膜電池的理論電壓值。通過理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)分析我們發(fā)現(xiàn),導(dǎo)致開路電壓低的主要原因是納米線的線間距不足以使CdTe形成完整的耗盡層。我們通過引入合適的CdS中間層,消除了ZnO NWs的表面缺陷并調(diào)整了耗盡層的分布,成倍的提升了電池的開路

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論