納米氧化鋅傳感裝置導電性能研究.pdf

1、氧化鋅作為寬帶隙半導體材料，具有眾多優(yōu)異的特性，在許多領域中被廣泛應用，諸如納米發(fā)電機、紫外探測器、壓敏傳感器、記憶存儲器等等。單晶體氧化鋅納米帶結晶度高，并且比表面積大，具有優(yōu)異的電學性能，是組成納米器件的主要材料之一，目前幾乎所有相關文章都將目光集中在半導體納米結構的電流-電壓性質上，而有關電阻與長度的機理則無人問津，因此，研究單晶體半導體納米帶的基本導電性能夠對改良納米器件的性能起到重要作用。
　　本文選用化學氣相沉積法制備

2、氧化鋅納米帶，該方法的主要優(yōu)點是制備的氧化鋅納米帶具有非常高的結晶度，便于實驗研究。對制備的氧化鋅納米帶進行表征，測試結果顯示所制備氧化鋅結構具有良好的帶狀結構，且表面光滑，尺寸均勻，經(jīng)過進一步電子衍射分析確認氧化鋅納米帶呈纖鋅礦結構，其生長方向沿[01(1)0]方向。
　　為了研究氧化鋅納米帶電阻與長度的關系，我們將其用銀膏固定在涂有二氧化硅絕緣層的硅基板上，并用涂有鉑金屬層的原子力顯微鏡探針通過接觸納米帶構成電流-電壓測量回路

3、，通過實驗確定了氧化鋅納米帶的導電特性。針對氧化鋅納米帶內部的導電特性，采用有限元法，分別對各向同性與各向異性材料的導電性進行分析，并分析主導電平面與生長方向相同時的電流密度分布情況。本文最后研究了摻雜物對氧化鋅壓敏電阻性能的影響，實驗選用Bi2O3和Co2O3作為主要摻雜物，并在相同條件下對摻雜含量不同的樣品性能參數(shù)進行比較。
　　本文不但研究了氧化鋅納米帶的特殊導電機理，而且為改良納米器件功能提供了依據(jù)，對研制新一代高性能納米