PMOCVD生長(zhǎng)InAlN的計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)模擬研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩74頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、當(dāng)In含量為17.6％時(shí),InAlN晶格可與GaN晶格實(shí)現(xiàn)晶格匹配無應(yīng)力狀態(tài),因此可避免由于晶格失配產(chǎn)生的一系列問題。但是由于InN和AlN兩種材料的生長(zhǎng)特性差異較大,使得高質(zhì)量高In含量InAlN材料的生長(zhǎng)成為目前國(guó)際性難題。
　　PMOCVD(脈沖金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)是西安電子科技大學(xué)提出的生長(zhǎng)高質(zhì)量高In含量InAlN材料的一種新工藝方法,其工藝特征是反應(yīng)源脈沖分時(shí)通入反應(yīng)室,能很好的控制InAlN的生長(zhǎng),其研究報(bào)道受到

2、廣泛關(guān)注。
　　本文采用流體動(dòng)力學(xué)模擬軟件 FLUENT,對(duì)PMOCVD生長(zhǎng)InAlN的流體動(dòng)力學(xué)行為進(jìn)行系統(tǒng)的仿真分析研究。根據(jù)西安電子科技大學(xué)寬緊帶半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室自制的120-MOCVD反應(yīng)室結(jié)構(gòu),建立了反應(yīng)室的 FLUENT仿真模型;通過FLUENT軟件的用戶自定義模塊(UDF),用 C語言編寫了 PMOCVD的脈沖文件;采用FLUENT軟件,對(duì)常規(guī)MOCVD的連續(xù)流量和PMOCVD的脈沖流量的流體動(dòng)力學(xué)行為進(jìn)行對(duì)比分析。仿真

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論