太赫茲波183GHz五次倍頻技術研究.pdf

1、近年來，太赫茲技術在國際上掀起了一股研究熱潮，作為太赫茲相關技術中重要組成部分的太赫茲源引起了人們的廣泛關注，太赫茲源的產(chǎn)生由光學、等離子體、電子學三大類技術來實現(xiàn)。
　　本文通過基于電子學的固態(tài)半導體來展開中心頻率為183GHz的G波段太赫茲源的研究，采用目前技術已十分成熟的毫米波信號Ka頻段作為信號源，通過肖特基平面二極管對反向并聯(lián)的方式實現(xiàn)五次諧波倍頻，目標是為課題組太赫茲相關諧波混頻器的測試提供射頻信號，因此所研制的五倍頻

2、器主要考慮寬帶性能。
　　本文在理論研究與 ADS、HFSS等仿真軟件相結(jié)合的基礎上，分別采用一對二極管反向并聯(lián)、兩對二極管反向并聯(lián)兩種方案對183GHz五倍頻器進行仿真優(yōu)化，并加工測試。所選用的肖特基二極管為UMS公司的DBES105A。測試結(jié)果為：采用一對二極管反向并聯(lián)的G波段五倍頻器，在27~30.5GHz輸入頻段內(nèi)，五倍頻輸出功率在5μW以上，最佳匹配點在145GHz處，輸出功率為15μW，在130~200GHz頻率范圍內(nèi)

3、，均有倍頻輸出；采用兩對二極管反向并聯(lián)的G波段五倍頻器，在27~34GHz輸入頻段內(nèi)，五倍頻輸出功率在1μW以上，最佳匹配點在150GHz處，輸出功率為13.1μW，在130~200GHz頻段內(nèi)，均有輸出功率。
　　國外相關文獻報道的太赫茲五倍頻器主要是采用HBV來實現(xiàn)。國內(nèi)由于加工工藝等因素限制，對太赫茲五倍頻器的研究甚少，目前未見諸相關文獻報道，本文所研究的五倍頻器作為今后相關太赫茲五倍頻研究的探索，可為太赫茲五倍頻電路的研制