二氧化鈦納米線陣列制備及其性能研究.pdf_第1頁
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1、本次試驗(yàn)在FTO導(dǎo)電玻璃基底上通過水熱反應(yīng)制備一維取向金紅石結(jié)構(gòu)的TiO2納米線陣列材料,以N719染料敏化光陽極,組裝染料敏化太陽能電池,測(cè)試器件的光電性能。主要研究材料的生長(zhǎng)機(jī)理,在水熱反應(yīng)中前驅(qū)體體積,反應(yīng)與刻蝕的時(shí)間,溶劑組分對(duì)TiO2納米線陣列微觀相貌的影響。通過SEM觀察薄膜的形貌組織,原子力顯微鏡測(cè)試薄膜材料的表面粗糙度,通過XRD分析材料晶型結(jié)構(gòu),紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試材料的性能及禁帶寬度大小,通過J-V曲線表征器件性能

2、參數(shù)。
  預(yù)先通過0.2MTiCl4溶液對(duì)FTO基底預(yù)處理,550℃退火制備種子層,對(duì)比不同鈦的前驅(qū)體溶液制備TiO2納米線陣列, TiCl4可制備有一定長(zhǎng)徑比的納米線陣列,進(jìn)而研究不同體積的TiCl4溶液,不同反應(yīng)時(shí)間對(duì)制備納米線薄膜的影響,對(duì)納米線陣列進(jìn)行不同時(shí)間的刻蝕,以不同刻蝕時(shí)間的TiO2納米線陣列組裝器件,刻蝕3h時(shí)可制備器件的效率為2.21%。
  考察以無水乙醇為溶劑可制備晶粒尺寸小、致密的TiO2納米線陣

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