埋入式非對角巨磁阻抗電流傳感器.pdf

1、巨磁阻抗（giant magneto-impedance,GMI）效應具有靈敏度高、反應時間快、敏感元件體積小等優(yōu)點，從而更符合現(xiàn)代傳感器的性能要求,可廣泛用于汽車、電子等多種領域。本文主要探討了非晶薄帶的GMI效應及進行退火和表面涂敷薄膜層處理對薄帶GMI效應的影響,最后研制了埋入式傳感器探頭及信號處理電路。主要內容如下：
　　通過在非晶薄帶表面涂敷薄膜層（分了施加基片溫度與不施加基片溫度的情況）的方式，探討表面粗糙度對薄帶GM

2、I效應的影響。研究發(fā)現(xiàn)，涂敷CoFe2O4薄膜層能減小非晶帶表面粗糙度；通過施加基片溫度，可有效的改善樣品的軟磁性能。研究發(fā)現(xiàn)最佳制備條件：功率100W，時間60min，濺射氣壓0.7Pa，基片溫度300℃時樣品的巨磁阻抗效應最好，最大阻抗比120.5％，而制備態(tài)樣品為43.68%，提高了近77%。
　　研究了兩段式焦耳熱退火工藝，得到最佳退火條件：第一段退火電流大小15A/mm2，第二段退火電流大小30A/mm2，每段退火時間均