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1、本論文是通過利用化學(xué)合成法制備氧化石墨烯,以及光輔助-費(fèi)頓法來制備的石墨烯量子點(diǎn),并將它們與吡咯單體在低溫下進(jìn)行原位聚合,獲得聚吡咯/氧化石墨烯、聚吡咯/石墨烯量子點(diǎn)復(fù)合材料。隨著氧化石墨烯、石墨烯量子點(diǎn)的加入,吡咯單體以氧化石墨烯、石墨烯量子點(diǎn)為軟模板,聚合生長(zhǎng)成不同于純聚吡咯形貌的聚合物。同時(shí),還嘗試了當(dāng)表面活性劑(CTAB)加入后,聚吡咯/氧化石墨烯的形貌、電化學(xué)性質(zhì)變化趨勢(shì)。實(shí)驗(yàn)中采用了場(chǎng)發(fā)射電子顯微鏡(FESEM)、紅外(FT
2、-IR)、X射線衍射分析(XRD)和熱重(TGA)對(duì)復(fù)合物的表面形貌、結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。證明復(fù)合材料是通過化學(xué)鍵合方式結(jié)合,材料制備成功。最后通過機(jī)械冷壓法將制備的復(fù)合物壓成圓片電極,測(cè)定并分析材料的電容性能及循環(huán)穩(wěn)定性。
結(jié)果表明,表面活性劑CTAB的加入并沒有明顯提高材料的電容性能。但是,GQD的加入顯著提高了材料的比電容和循環(huán)穩(wěn)定性,當(dāng)PPY和GQD質(zhì)量比為50:1所制得的復(fù)合物的比電容量為485F/g,同時(shí)在兩千次循環(huán)之后
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