膠體Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光器件.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導(dǎo)體納米晶具有發(fā)射波長可調(diào)的光學(xué)性質(zhì)，在基礎(chǔ)研究領(lǐng)域和應(yīng)用領(lǐng)域都具有很高的研究價(jià)值，廣泛地應(yīng)用于電致發(fā)光器件、太陽能電池和生物熒光標(biāo)記等領(lǐng)域。本文以硒化鎘核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米晶為研究對(duì)象，針對(duì)半導(dǎo)體納米晶在電致發(fā)光器件方面的應(yīng)用展開以下研究工作:
　　首先，利用有機(jī)溶劑法制備了CdSe/CdS和CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)膠體半導(dǎo)體納米晶，通過對(duì)核殼結(jié)構(gòu)納米晶吸收光譜和熒光光譜的測(cè)量，研究了包層對(duì)半導(dǎo)體納米晶光學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明:

2、CdSe核外包3層CdS具有最大熒光量子產(chǎn)率，因此，選擇3層CdS包覆的CdSe半導(dǎo)體納米晶制備量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。
　　其次，研究了聚乙烯咔唑(PVK)中摻入C60后對(duì)量子點(diǎn)電致發(fā)光器件性能的影響。結(jié)果表明:摻入C60后的PVK薄膜在氧化銦錫(ITO)基底上的均方根粗糙度有所下降。另外，摻入一定濃度C60后有利于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中空穴的注入和傳輸，能夠改善器件中電子和空穴的平衡，提高器件的效率。
　　最后，利用溶膠-凝膠

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