交流阻抗譜在OLED器件中的應(yīng)用.pdf

1、相比于傳統(tǒng)LCD，OLED顯示技術(shù)憑借其能耗低、視角寬、對(duì)比度高、低成本等優(yōu)點(diǎn)在近幾年迅速占領(lǐng)市場(chǎng)，并在電子設(shè)備迅速發(fā)展的今天被廣泛認(rèn)可，被認(rèn)為是最有可能繼承和替代液晶產(chǎn)品的存在，對(duì)OLEDs的研究不僅在其效率和發(fā)光色比度上，同時(shí)也需要對(duì)其內(nèi)部的電學(xué)現(xiàn)象進(jìn)行深度的探索和優(yōu)化。交流阻抗譜技術(shù)因其對(duì)體系干擾小、測(cè)試頻率范圍廣、測(cè)試成本低、測(cè)試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)正在被廣泛地應(yīng)用在多個(gè)領(lǐng)域。本論文主要通過(guò)運(yùn)用交流阻抗譜技術(shù)來(lái)研究分析有機(jī)半導(dǎo)體器件的內(nèi)

2、部電學(xué)特性：
　　我們通過(guò)將F4-TCNQ作為空穴緩沖層制備有機(jī)電致發(fā)光器件以及單空穴載流子器件，對(duì)比得出增加F4-TCNQ空穴緩沖層可以增加空穴載流子的注入、提高有機(jī)電致發(fā)光器件的性能。為了驗(yàn)證空穴緩沖層對(duì)ITO陽(yáng)極的修飾作用，我們利用交流阻抗譜對(duì)制備的器件進(jìn)行測(cè)試，并選取了合適的等效電路結(jié)合阻抗數(shù)據(jù)對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行擬合，肯定了F4-TCNQ空穴修飾層對(duì)陽(yáng)極空穴注入勢(shì)壘的修飾優(yōu)化作用。
　　為了進(jìn)一步研究利用交流阻抗譜研究有

3、機(jī)半導(dǎo)體器件的內(nèi)部電學(xué)性質(zhì)，我們以F4-TCNQ作為客體摻雜到m-MTDATA中制備成電學(xué)摻雜的單載流子器件，器件的電流密度是隨著摻雜濃度的增加而增加的。之后我們?cè)诿枥L奈奎斯特阻抗曲線時(shí)發(fā)現(xiàn)，電學(xué)摻雜情況的阻抗曲線呈現(xiàn)出來(lái)的是和簡(jiǎn)單修飾結(jié)構(gòu)不一樣的結(jié)構(gòu)，結(jié)合基礎(chǔ)物理學(xué)的知識(shí)和等效擬合數(shù)據(jù)確定了是由于摻雜產(chǎn)生的耗盡層所導(dǎo)致的在阻抗曲線中的不同，也確定了電學(xué)摻雜對(duì)器件性能的優(yōu)化和提升。
　　最后，我們對(duì)比了不同材料做修飾層的器件的性能

4、差異，通過(guò)等效電路的擬合數(shù)據(jù)所做的曲線計(jì)算下降斜率，我們發(fā)現(xiàn)隨著偏壓增加不同材料制備的單載流子器件的電導(dǎo)性的差距不斷增加，這反應(yīng)不同材料降低的注入勢(shì)壘不同導(dǎo)致同等情況下更多的注入載流子會(huì)導(dǎo)致更低的弛豫時(shí)間，進(jìn)而影響阻抗值的變化，另外還發(fā)現(xiàn)不同修飾層的材料會(huì)對(duì)有機(jī)層發(fā)生擴(kuò)散現(xiàn)象，并且擴(kuò)散的程度和增加空穴注入的能力成正比。
　　我們利用交流阻抗譜技術(shù)結(jié)合有機(jī)半導(dǎo)體的知識(shí)分析有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能，通過(guò)等效電路擬合分析阻抗數(shù)據(jù)，可以對(duì)