基于半導(dǎo)體激光器的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究.pdf

1、光導(dǎo)開(kāi)關(guān)(Photoconductive Semiconductor Switches-PCSS)是利用脈沖激光激勵(lì)光導(dǎo)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)阻抗?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)換的一種新型固體開(kāi)關(guān)。由于光導(dǎo)開(kāi)關(guān)具有導(dǎo)通速度快、同步精度高、觸發(fā)抖動(dòng)小等優(yōu)點(diǎn)，它在醫(yī)用介質(zhì)壁加速器、高功率微波、超短超快電脈沖、閃光照相等眾多領(lǐng)域有著良好的應(yīng)用前景。本論文對(duì)基于半導(dǎo)體激光器的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行了研究，初步掌握了這種結(jié)構(gòu)更緊湊、成本更低、使用更方便的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)。
　　

2、論文首先利用MOSFET晶體管設(shè)計(jì)了半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電路，利用Pspice軟件對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了模擬，對(duì)重要參數(shù)進(jìn)行了掃描分析。在此基礎(chǔ)上，對(duì)電路設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，研制成功了用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體激光器的快上升沿脈沖電源。輸出的電流脈沖前沿達(dá)到1.21ns，峰值電流44A，且電流脈沖各個(gè)參數(shù)可以調(diào)節(jié)。
　　對(duì)半導(dǎo)體激光器的輸出特性進(jìn)行了研究。半導(dǎo)體激光器輸出的脈沖激光前沿3.1ns，峰值功率75W，且脈沖激光前沿越快、峰值功率越大，開(kāi)關(guān)導(dǎo)

3、通速率也越快。單路脈沖激光抖動(dòng)約0.2ns，兩路脈沖激光之間的抖動(dòng)約0.3ns～0.4ns，脈沖激光的抖動(dòng)越大，光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的抖動(dòng)也越大。激光脈沖束截面強(qiáng)度分布不均勻，橫向發(fā)散角較大，縱向發(fā)散角較小，使半導(dǎo)體激光器與光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的相對(duì)位置會(huì)影響光斑形狀，進(jìn)而影響開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通性能。激光脈沖不能完全為光導(dǎo)開(kāi)關(guān)所吸收，不同尺寸的開(kāi)關(guān)對(duì)激光能量的利用率也不同。
　　在脈沖形成線實(shí)驗(yàn)中，對(duì)基于半導(dǎo)體激光器的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通性能進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)表明，激光

4、照射的位置會(huì)很大程度上影響開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通性能，在半導(dǎo)體激光器處于距離光導(dǎo)開(kāi)關(guān)約3mm、稍微靠近陽(yáng)極的位置時(shí)，光導(dǎo)開(kāi)關(guān)具有最好的導(dǎo)通性能。實(shí)驗(yàn)中所用的5mm異面電極GaAs光導(dǎo)開(kāi)關(guān)較為合適的工作電壓為16kV～18kV，開(kāi)關(guān)抖動(dòng)可達(dá)到約0.3ns，平均使用壽命為100多次。光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的抖動(dòng)、導(dǎo)通電阻等性能隨著偏置電壓的升高、驅(qū)動(dòng)光能的增加而逐漸變好，但高的偏置電壓會(huì)縮短光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的使用壽命。
　　將基于半導(dǎo)體激光器的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)應(yīng)用到B