AZO納米陣列薄膜制備及其電子輻照效應研究.pdf

1、透明導電氧化物薄膜是一種常見的功能材料,被廣泛地應用于太陽能電池、平板顯示以及其他光電器件中。目前,有關鋁摻雜的氧化鋅(AZO)薄膜成為了研究的熱點。本文利用射頻磁控濺射技術和低溫水熱法在玻璃基底上制備AZO納米陣列薄膜,并采用掃描電鏡、X射線衍射分析、雙電測四探針測試儀、紫外-可見光分光光度計等分析測試手段研究了主要工藝參數(shù)對AZO薄膜的影響,并初步探討了AZO薄膜在電子輻照作用下的損傷效應。
　　采用射頻磁控濺射法制備出了具有

2、c軸擇優(yōu)取向的致密的AZO薄膜,并研究濺射功率和濺射氣壓對AZO薄膜的影響。結果表明,在濺射功率為200W、濺射氣壓為0.1Pa的條件下制備出的AZO薄膜具有較好的電學和光學性能,其面電阻最低可達到0.65kΩ/□,可見光區(qū)平均透過率為80.4％。利用低溫水熱法在具有AZO緩沖層的玻璃基底上生長出了具有c軸擇優(yōu)取向的六方纖鋅礦結構的AZO納米陣列薄膜。研究不同Al3+離子摻雜濃度對AZO薄膜的影響規(guī)律,發(fā)現(xiàn)Al3+離子摻雜濃度為3%的薄

3、膜具有均勻的納米棒陣列,且具有最低的面電阻和較高的透過率,面電阻最低可達到9.86kΩ/□,透過率達到80%以上。研究了水熱反應時間對AZO納米陣列薄膜的影響,結果表明AZO納米棒的尺寸隨著水熱反應時間的延長而增大,且納米棒均勻程度變差,AZO納米陣列薄膜的面電阻隨反應時間延長有小幅度下降,而其可見光區(qū)的透過率則會有顯著下降。
　　本文采用能量為60keV的電子對AZO薄膜樣品進行電子輻照試驗,初步研究電子輻照對AZO薄膜的影響規(guī)