利用化學(xué)腐蝕提高氮化鎵藍光發(fā)光二極管外量子效率的研究.pdf

1、在本論文中,通過對半導(dǎo)體發(fā)光二極管的側(cè)面出光效率研究,經(jīng)試驗驗證得到一種通過化學(xué)腐蝕提高氮化鎵藍光發(fā)光二極管的外量子效率的方法。同時通過理論分析計算了側(cè)面傾斜角度對光提取效率的影響。
　　本文在回顧氮化鎵藍光發(fā)光二極管以及半導(dǎo)體材料的歷史上,展望了半導(dǎo)體發(fā)光二極管的發(fā)展趨勢。
　　本文通過理論研究,模擬光線在半導(dǎo)體發(fā)光二極管內(nèi)的傳播路徑。采用光線追跡法計算光在半導(dǎo)體發(fā)光二極管中的出射效率。利用計算機輔助設(shè)計得到了準(zhǔn)確的理論數(shù)

2、值。為實驗成功提供了保障。
　　論文在理論計算基礎(chǔ)上針對發(fā)光二極管的工作原理以及制造工藝過程做了深入研究。著重分析了如何利用化學(xué)腐蝕,提高氮化鎵基藍光發(fā)光二極管的外量子效率方法的研究。
　　利用化學(xué)腐蝕的方法,將半導(dǎo)體發(fā)光二極管的側(cè)壁腐蝕出具有一定傾斜角度的斜面。從而提高了氮化鎵藍光發(fā)光二極管的外量子效率的提取。工藝過程:第一,在芯片上通過光刻做出所需的光刻圖形。第二,在表面通過化學(xué)氣相沉積做一層保護膜,用來保護芯片表面。第