2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、近年來(lái),隨著高頻段無(wú)線電波資源的開(kāi)發(fā)應(yīng)用,高頻、微波移動(dòng)通信事業(yè)的迅猛發(fā)展,以及微波介質(zhì)陶瓷材料的性能不斷提高,由微波介質(zhì)陶瓷材料制備成的濾波器由于具有微型化、損耗低,頻率溫度系數(shù)小、成本低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、警戒雷達(dá)、導(dǎo)航通訊、遙感遙測(cè)系統(tǒng)、家用衛(wèi)星直播電視接收機(jī)和移動(dòng)電話等設(shè)備。但是,研究微波介質(zhì)濾波器結(jié)構(gòu)對(duì)其電性能的影響需要求解復(fù)雜的電磁場(chǎng)方程,因此,人們需大量的時(shí)間用于求解復(fù)雜的電磁場(chǎng)方程而獲得器件結(jié)構(gòu)參數(shù),同時(shí)器件工

2、作頻率達(dá)到微波頻段,受高頻寄生參數(shù)影響較大,準(zhǔn)確地計(jì)算出器件結(jié)構(gòu)參數(shù)顯得異常困難。這將限制了微波介質(zhì)濾波器的深入發(fā)展。
  本文正是針對(duì)上述問(wèn)題,以微波介質(zhì)濾波器為主要研究對(duì)象,深入分析了各體系微波介質(zhì)陶瓷材料,各種微波介質(zhì)濾波器的結(jié)構(gòu)形式。在此基礎(chǔ)上,提出了一種新穎的可靠性高、獨(dú)石型微波介質(zhì)濾波器結(jié)構(gòu),并對(duì)其制備關(guān)鍵工藝做了探索性和創(chuàng)新性的研究。通過(guò)計(jì)算公式初步算得微波介質(zhì)濾波器的結(jié)構(gòu)參數(shù),利用Ansoft-HFSS仿真軟件對(duì)其

3、進(jìn)行建模、模擬仿真和優(yōu)化,獲取準(zhǔn)確的微波介質(zhì)濾波器的結(jié)構(gòu)參數(shù),利用獲取的結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行樣品的制作和測(cè)試,進(jìn)而驗(yàn)證設(shè)計(jì)的可行性和正確性。本文主要研究?jī)?nèi)容為:
  1.提出了一種新型的微波介質(zhì)帶通濾波器結(jié)構(gòu),對(duì)其工作原理和結(jié)構(gòu)的可行性、先進(jìn)性進(jìn)行分析,并對(duì)該型濾波器結(jié)構(gòu)進(jìn)行可靠性預(yù)設(shè)計(jì),以期滿足軍品工作條件的苛刻要求。同時(shí)在此基礎(chǔ)上推導(dǎo)出該濾波器結(jié)構(gòu)的電路等效模型,以及從電路等效結(jié)構(gòu)向同軸線結(jié)構(gòu)的微波實(shí)現(xiàn)。
  2.根據(jù)本論文要求

4、的技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行嚴(yán)謹(jǐn)?shù)胤治?,從而提出了最合適的微波介質(zhì)濾波器的設(shè)計(jì)方案,并利用Ansoft-HFSS三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場(chǎng)仿真軟件對(duì)其進(jìn)行仿真,根據(jù)仿真的結(jié)果進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)調(diào)整,從而得出最優(yōu)的器件結(jié)構(gòu)參數(shù),并總結(jié)出結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)器件電性能影響的變化規(guī)律。
  3.微波介質(zhì)濾波器關(guān)鍵工藝研究,解決了介質(zhì)諧振子制備難題,介質(zhì)諧振子被銀難題,摸索出微波介質(zhì)濾波器的調(diào)試方法,以及提出了聚四氟乙烯引腳的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。
  4.選用本研究所已經(jīng)研制的(

5、Zr,Sn) TiO4系介質(zhì)陶瓷材料,其相對(duì)介電常數(shù)r=36,品質(zhì)因數(shù)為Q f=25000 GHz,頻率溫度系數(shù)f=5×10-6/℃,采用固相反應(yīng)法制備介質(zhì)諧振子生坯,并運(yùn)用解決的關(guān)鍵工藝,成功研制出 LJ1616M型和LJ2492M型兩種微波介質(zhì)濾波器,測(cè)試結(jié)果如下:
  0f=1616.6 MHz,3 dB帶寬為23.3 MHz,帶內(nèi)波動(dòng)小于0.1 dB,插人損耗IL為1.48 dB,電壓駐波比小于1.2,帶外抑制Ls在f0-

6、50 MHz外大于30 dB;在f0+50 MHz外大于40 dB;在f0-125 MHz外大于50 dB;在f0+125 MHz外大于70 dB。a)
  0f=2493.0 MHz,3 dB帶寬為30.2 MHz,帶內(nèi)波動(dòng)小于0.1 dB,插人損耗IL為1.539 dB,電壓駐波比小于1.2,帶外抑制Ls在f0-50 MHz外大于25 dB;在f0+50 MHz外大于30 dB;在f0-125 MHz外大于45 dB;在f0+

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