2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、近十年來(lái),隨著無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)的迅速發(fā)展和CMOS工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步,采用低成本的CMOS工藝實(shí)現(xiàn)高性能射頻通信電路和系統(tǒng)成為可能。作為無(wú)線(xiàn)傳輸設(shè)備的核心器件,射頻集成電路的設(shè)計(jì)技術(shù)和應(yīng)用層面的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)一直以來(lái)倍受重視。因此,如何設(shè)計(jì)出應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)的高性能CMOS射頻集成前端已成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。
　　本論文的主要工作是基于SMIC0.18μm RF CMOS工藝,設(shè)計(jì)用于IEEE802.15.4標(biāo)準(zhǔn)的2.4GHz無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)

2、射頻接收機(jī)前端的低噪聲放大器(LNA)和下變頻混頻器(Mixer)。本論文提出一個(gè)簡(jiǎn)化的短溝道MOSFET設(shè)計(jì)模型,說(shuō)明了該模型中各個(gè)參數(shù)的物理意義并用仿真數(shù)據(jù)擬合的方法提取模型參數(shù)。分析了源極電感負(fù)反饋LNA的輸入阻抗匹配、噪聲系數(shù)和線(xiàn)性度。LNA的設(shè)計(jì)以cascode結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),采用源級(jí)電感負(fù)反饋的方法提高了線(xiàn)性度,并且通過(guò)設(shè)計(jì)一個(gè)控制電壓控制LNA的輸出阻抗,從而實(shí)現(xiàn)了可變?cè)鲆孢@一目的,采用Cadence Spectre-RF后仿

3、真結(jié)果表明,在控制電壓為0V-1.8V的情況下,在2.45GHz處,LNA輸入輸出匹配良好,功率增益范圍為-0.33dB-15.93dB,噪聲系數(shù)范圍為1.715dB-1.848dB,輸入1dB壓縮點(diǎn)范圍為-8.4dBm-7.746dBm,輸入三階交調(diào)點(diǎn)范圍為5.48dBm-5.68dBm。在1.8V電源電壓下,功耗約為21.6mW。
　　下變頻器的設(shè)計(jì)以Gilbert有源雙平衡混頻器為基礎(chǔ),采用電流注入技術(shù)的方法,減少流經(jīng)開(kāi)關(guān)管

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