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文檔簡介
1、ZnO壓敏電阻器憑借著優(yōu)秀的電學(xué)性能已被廣泛應(yīng)用于電子保護中，現(xiàn)今最具代表性的產(chǎn)品包括多層片式壓敏電阻器(MLCV)和特高壓ZnO避雷器。隨著我國經(jīng)濟的高速發(fā)展，對于保護元件的高性能、大通流能力的要求不斷提高，針對國內(nèi)生產(chǎn)的商用ZnO壓敏電阻器壓敏電壓梯度偏低、殘壓比較高、成本較高的特點，本課題對這些問題展開研究。
本論文基于摻雜SnO2的ZnO配方改善壓敏電阻器的電學(xué)性能。本實驗主要從兩方面進行研究：通過正交試驗設(shè)計方法對配
2、方優(yōu)化，正交試驗結(jié)果確定了配方的調(diào)整趨勢：適當(dāng)?shù)奶岣進n和Co的添加量，保持Bi含量不變，適當(dāng)降低Sn的添加量；另一方面，探索 CoMnBiNi溶膠態(tài)復(fù)合添加劑的制備工藝，發(fā)現(xiàn)采用溶膠態(tài)復(fù)合添加劑制備ZnO壓敏電阻很好地提高了元件微觀結(jié)構(gòu)的均勻性。實驗結(jié)果表明溶膠法制備的元件團聚現(xiàn)象減少，添加劑在晶界處的分布更加均勻，測試結(jié)果一致性更好，性能更加穩(wěn)定，制備的元件的小電流參數(shù)均值壓敏電壓為449.6V/mm，非線性為47，漏電流為0.76
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