富磷條件對磷化銦晶體缺陷及Fe激活率的影響.pdf

1、本文主要研究在富磷熔體中原位磷注入合成和液封直拉法生長的InP體材料的相關特性，并得到了以下結果：
　　1、在深入了解 InP晶體微缺陷的化學腐蝕原理基礎上，經(jīng)過多次腐蝕實驗，確定了適用于(100)、(111)面 InP最佳 AB腐蝕條件和適用于 InP(111)In面的最佳 CH(CrO3/HBr)腐蝕條件，兩種腐蝕試劑顯示出大小適中，輪廓清晰的腐蝕形貌。
　　2、運用確定好的腐蝕條件分別對(100)面Fe-InP和(11

2、1)面S-InP進行腐蝕，取得了較好的腐蝕效果。可以清晰地觀察到(100)面 Fe-InP單晶中存在的線狀蝕坑、環(huán)狀蝕坑等缺陷形貌，(111)面S-InP單晶中位錯排、小角晶界、生長條紋等缺陷形貌，并對各種類型缺陷的形成機理進行了分析。
　　3、運用高分辨率X射線衍射技術對InP單晶片的結構特性進行研究，結果顯示樣品的晶格常數(shù)普遍偏小且分布存在不均勻性，進而通過 TDS應力測試發(fā)現(xiàn)樣品晶格常數(shù)隨應力大小的變化呈明顯對應分布，說明I

3、nP晶格常數(shù)的分布主要受殘余熱應力的影響。
　　4、通過光致發(fā)光技術對摻S和摻Fe的InP單晶片發(fā)光特性和雜質分布情況進行研究，結果表明晶格的應變是導致PL發(fā)光峰峰位變化的主要原因；摻S樣品由于重摻雜作用導致PL發(fā)光峰呈現(xiàn)明顯的藍移現(xiàn)象。
　　5、摻S InP單晶片的PL發(fā)光強度與紅外吸收率呈現(xiàn)一一對應，發(fā)光強度越低，紅外吸收率越高，這種現(xiàn)象與樣品中S的摻雜濃度密切相關。
　　6、富磷熔體中生長的InP晶體容易出現(xiàn)孔洞