基于憶阻器的自動增益控制電路設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、憶阻器(memristor)被認為是除電阻器、電容器、電感器外的第四種基本電路元件,它是一種具有記憶功能的納米級尺寸的非線性二端無源器件。目前,憶阻器已經(jīng)引起越來越多的研究學者的廣泛關(guān)注,是電路學研究的熱點和前沿問題之一。
　　 本文詳細分析了憶阻器的特性,并提出了一種具有閾值電壓的非線性雜質(zhì)漂移憶阻器模型。在該模型中,當憶阻器兩端的電壓低于閾值電壓時,憶阻器的狀態(tài)保持不變;當憶阻器兩端的電壓大于閾值電壓時,憶阻器的狀態(tài)發(fā)生改變

2、。本文對該模型進行了SPICE電路仿真,仿真結(jié)果和惠普實驗室給出的憶阻器物理模型的特性曲線一致。
　　 另外,本文設(shè)計了一種憶阻器的阻值控制電路,脈沖電壓作為控制信號施加在憶阻器兩端,通過控制脈沖電壓的幅值或者持續(xù)時間可以改變憶阻器的阻值。在此基礎(chǔ)上本文提出了一種基于憶阻器的自動增益控制電路。該自動增益控制電路由憶阻器、運算放大器、比較器和峰值檢測電路組成。當電路輸出信號幅值低于(高于)參考信號電平時,控制信號使得憶阻器的阻值減

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