氧化鋅納米棒的水熱法制備及其光催化性能的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種具有光電特性和壓電特性的半導體材料，常溫下其禁帶寬度為3-37 eV，是典型的寬禁帶半導體材料；其激子結合能為60 meV，遠大于其他一些半導體材料如ZnSe(22 meV)和GaN(25 meV)，因此具備很好的應用潛力。
　　 基于氧化鋅所具有的特殊的熱、電等物理性能，以及非常穩(wěn)定的化學性質，氧化鋅納米材料在光學、傳感、場發(fā)射、能源、催化等多個領域均顯示出了良好的應用前景。
　　 隨著工業(yè)發(fā)展，

2、環(huán)境污染，尤其是水污染日益嚴重。在水污染處理方面，傳統(tǒng)的治理方法，如沉淀、吸附和滲析處理，只是完成了污染物跟水質的分離，并不能從根本上解決問題，且這些傳統(tǒng)方法治理污水所需費用較高。半導體光催化技術治理污水就沒有上述缺點，這種技術的原理是用半導體材料將太陽能轉化為化學能，使有機物降解為簡單小分子無機物，從而徹底解決水污染問題。半導體光催化技術可以用于降解有機污染物和滅菌殺毒。氧化鋅作為一種性能優(yōu)異的半導體材料，其納米材料具有良好的光電性能

3、，在作為光催化劑治理污水方面有著廣泛的應用。
　　 在氧化鋅納米材料的制備方法上，有多種制備方法如溶膠-凝膠法、模板法、化學氣相沉積法、電沉積法、水熱法等。在這些方法中，水熱法由于反應條件溫和；產物結晶度好等特點，得到了廣泛的應用。
　　 本實驗中，以分析純氧化鋅作為鋅源，氫氧化鈉作為礦化劑，以鹽酸、檸檬酸等調節(jié)溶液的堿度，水熱制備出了花狀氧化鋅納米棒集合、微球狀氧化鋅納米片集合等形貌的氧化鋅納米材料。實驗探索了溶液堿度