碳化硅上石墨烯的制備與表征.pdf

1、石墨烯作為一種由碳原子構(gòu)成的蜂窩狀二維晶體，以其非常高的比表面積和優(yōu)良的導(dǎo)電性能、極好的透光性、完美的量子隧穿效應(yīng)和室溫量子霍爾效應(yīng)等奇異特性受到人們的極大關(guān)注。其被認(rèn)為是極有可能代替硅而成為新一代電子器件材料。
　　 本文闡述了目前制備石墨烯的主要方法，重點介紹了利用碳化硅外延石墨烯的優(yōu)勢，說明在碳化硅襯底上外延石墨烯是實現(xiàn)石墨烯應(yīng)用于微電子領(lǐng)域中的有效途徑之一。利用現(xiàn)有實驗條件，通過改變和優(yōu)化石墨烯生長工藝條件，實現(xiàn)了碳化硅

2、襯底上的石墨烯外延。借助于XPS、Raman、SEM等表征手段，完成了所得樣品的表征，并對表征結(jié)果進(jìn)行了分析。主要分析結(jié)果如下：⑴通過XPS、Raman手段，我們發(fā)現(xiàn)了碳化硅表面石墨烯的存在，證明了實驗方案的可行性；通過對不同溫度下生長的石墨烯的拉曼光譜的研究，我們發(fā)現(xiàn)隨著生長溫度的升高，外延石墨烯的尺寸增大、層數(shù)增多、缺陷減少。樣品拉曼光譜圖中2D峰的藍(lán)移表明外延石墨烯層中存在內(nèi)壓應(yīng)力，這個內(nèi)壓應(yīng)力來源于石墨烯與SiC襯底的熱膨脹系數(shù)