超寬帶微波固態(tài)功率放大器研究.pdf

1、本文基于GaN HEMT設(shè)計(jì)了S-C波段的超寬帶功率放大器。介紹了最近幾年的寬帶功率放大器的研究狀況以及功率放大器設(shè)計(jì)的種類指標(biāo)參數(shù)的定義，介紹了目前寬帶功率放大器實(shí)現(xiàn)的方法，并設(shè)計(jì)制作了加電時(shí)序電路。共設(shè)計(jì)制作了三款寬帶功率放大器模塊，其中兩個(gè)3-8GHz中功率的寬帶功率放大器模塊（中級(jí)）和一個(gè)大功率（末級(jí)）的寬帶功率放大器模塊。前者最大輸出功率為38.5dBm，后者輸出功率為45dBm。
　　首先本文查閱了九十年代以來(lái)國(guó)內(nèi)外對(duì)

2、超寬帶射頻功率放大器研究的成果和進(jìn)展?fàn)顩r。意識(shí)到了實(shí)現(xiàn)寬帶大功率放大器的緊迫性。通過對(duì)當(dāng)前國(guó)內(nèi)外成果的調(diào)查，分析出了國(guó)內(nèi)外對(duì)寬帶功率放大器已經(jīng)研究的內(nèi)容和未來(lái)發(fā)展的方向。
　　然后簡(jiǎn)單的討論和分析了射頻功率放大器的分類以及各自應(yīng)用的特點(diǎn)。介紹了功率放大器中基本的設(shè)計(jì)指標(biāo)和參數(shù)，說明了在設(shè)計(jì)過程中應(yīng)該注意那些問題。強(qiáng)調(diào)了“零”點(diǎn)電容的作用，介紹了基于GaN的新型負(fù)反饋電路結(jié)構(gòu)以及微帶線理論，分析了微帶線在匹配過程中應(yīng)該注意的問題。介

3、紹了屏蔽腔體設(shè)計(jì)過程注意的事項(xiàng)以及整個(gè)設(shè)計(jì)要具有工程性。強(qiáng)調(diào)了設(shè)計(jì)初始要了解整個(gè)微組裝的流程。
　　最后仿真并制作了三個(gè)不同的3-8GHz的寬帶功率放大器模塊，驅(qū)動(dòng)級(jí)最大輸出功率為38.5dBm，末級(jí)輸出功率為45dBm。利用ADS分別對(duì)放大器的芯片進(jìn)行了建模，并且對(duì)金絲鍵合線在HFSS中和ADS中的仿真模型進(jìn)行了對(duì)比。本文對(duì)設(shè)計(jì)的功率放大器進(jìn)行了加工制作和測(cè)試并對(duì)仿真結(jié)果和測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比與分析。另外還制作了加電時(shí)序電路，并進(jìn)行