閃速存儲(chǔ)系統(tǒng)中糾錯(cuò)編碼技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、Nand Flash是目前消費(fèi)性電子產(chǎn)品中被廣泛使用的元件之一。由于Nand Flash的物理機(jī)構(gòu)特點(diǎn)，容易發(fā)生錯(cuò)誤，如何保證數(shù)據(jù)的可靠性，成為一項(xiàng)重要的研究課題。采用糾錯(cuò)碼(Error Correction Coding,ECC)的糾錯(cuò)控制技術(shù)是目前提高閃存數(shù)據(jù)可靠性的關(guān)鍵技術(shù)之一，而BCH碼和低密度校驗(yàn)碼 LDPC碼(Low-Density Parity-Check codes)是目前被廣泛應(yīng)用在閃存上的糾錯(cuò)碼。
　　本文對B

2、CH碼和LDPC碼在Nand Flash上的編譯碼技術(shù)進(jìn)行了研究，對未來高性能糾錯(cuò)碼碼糾錯(cuò)芯片有著重要的意義。本文的主要工作概括為：
　　1.概述了Nand Flash基本結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的閃存存儲(chǔ)技術(shù)，詳細(xì)分析了Nand Flash錯(cuò)誤機(jī)制和錯(cuò)誤衡量標(biāo)準(zhǔn)，并闡述了閃存的基本糾錯(cuò)機(jī)制。
　　2.深入研究了BCH編譯碼思想和構(gòu)造方法，探討了閃存電壓概率分布，將閃存電壓狀態(tài)作為BCH硬判決算法輸入信息進(jìn)行譯碼，用BCH譯碼算法改善閃存

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