柔性銅銦鎵硒薄膜太陽能電池鉬電極的制備、表征與性能研究.pdf

1、本文系統(tǒng)研究了銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池背接觸鉬電極在柔性基底上的制備。主要探究了Mo薄膜電極在柔性PI（聚酰亞胺）基底上直流磁控濺射方法和柔性不銹鋼基底上化學(xué)涂膜方法的制備工藝，并與兩種方法在玻璃基底上制備的Mo薄膜電極進行比較研究，對制備的Mo薄膜電極使用X射線衍射分析(XRD)、掃描電子顯微鏡分析(SEM)、電阻率、粘附性等測試手段，系統(tǒng)分析了不同實驗條件對薄膜制備的影響，討論了薄膜結(jié)構(gòu)和性能的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，然后優(yōu)化了兩種方法

2、在柔性基底上Mo薄膜電極的制備工藝。
　　 1其中，PI基底上直流磁控濺射制備的優(yōu)化工藝條件為:濺射功率180W，8mTorr和2mTorr氣壓下濺射雙層Mo薄膜，導(dǎo)電性和粘附性都較優(yōu);濺射功率180W，2mTorr氣壓下濺射制備Mo薄膜導(dǎo)電性最優(yōu)，其電阻率約為4.2×10-5Ω·cm。不銹鋼基底上化學(xué)涂膜制備的優(yōu)化工藝條件為:Mo粉70wt％，玻璃粉5wt％，有機溶劑17.5wt％，添加劑7.5wt％，燒結(jié)溫度900℃;導(dǎo)電性