碳納米管磁化氫等離子體的微波吸收特性研究.pdf

1、具有中空層狀結(jié)構(gòu)和奇特電磁性能的碳納米管材料的合成，為高性能微波屏蔽與吸收材料的研制開辟了新的領域。碳納米管微波吸收復合材料，特別是碳納米管氫等離子體吸波材料已成為當今材料物理研究領域的熱點之一。本文系統(tǒng)探討了碳納米管磁化均勻氫等離子體的微波介電和衰減吸收性能，深入研究了碳納米管磁化非均勻氫等離子體的微波吸收性能。
　　本文研究目的是為碳納米管磁化氫等離子體在民用微波防輻及軍事隱身方面的應用提供理論指導。
　　碳納米管的分子

2、結(jié)構(gòu)、孔隙結(jié)構(gòu)和比表面積、材料吸波機理、吸波材料的發(fā)展方向、碳納米管的吸附儲氫機理和吸附儲氫性能進行了系統(tǒng)論述。
　　根據(jù)磁離子理論和W.K.B半經(jīng)典近似法，推導了外加靜磁場方向和微波傳播方向之間的夾角θ為任一值時，碳納米管薄膜磁化均勻氫等離子體的復電容率和微波衰減系數(shù)公式。數(shù)值模擬結(jié)果表明：在低頻微波段，復電容率的實部和虛部均隨θ的增加而增大，但是虛部變化更快；增大外磁場的磁感應強度能增加材料對微波特別是4～5GHz附近低頻段微

3、波的介電吸收；當入射微波頻率ν小于4.18 GHz時，對于每一個頻率的入射波，在θ等于π/2的兩側(cè)，均有兩個對稱吸收峰出現(xiàn)；隨著入射波頻率的增加，吸收峰向θ等于π/2的點靠近；存在一個約等于4.18 GHz的拐點頻率，在該頻率以下，衰減吸收隨ν的增大而增加，超過其拐點頻率時，衰減吸收系數(shù)隨ν的增加而急劇減??；若ν大于4.28 GHz，則沒有吸收峰出現(xiàn)。
　　根據(jù)耗散介質(zhì)中電磁波傳播理論，推導了碳納米管磁化非均勻氫等離子體的微波吸收