CuO助燒劑液相化學(xué)包覆Zn2SiO4陶瓷的結(jié)構(gòu)和微波介電性能.pdf

1、隨著信息技術(shù)的迅猛發(fā)展，電子線(xiàn)路日益趨于小型化、集成化和高頻化。多層陶瓷共燒技術(shù)得到快速發(fā)展。Zn2SiO4系列材料具有比較低的介電損耗(理想的品質(zhì)因數(shù)為219000GHz)、穩(wěn)定的介電常數(shù)(εr=6.6)和高的熱導(dǎo)率，適合作為介質(zhì)基板材料，但是 Zn2SiO4陶瓷固有燒結(jié)溫度在1300℃以上，為達(dá)到與低熔點(diǎn)金屬(Ag熔點(diǎn)961℃、Cu熔點(diǎn)1064℃)共燒的目的，就必須降低陶瓷的燒結(jié)溫度。最常用的降低燒結(jié)溫度的方法是向陶瓷中添加助燒劑，

2、但助燒劑的加入會(huì)對(duì)陶瓷的介電性能產(chǎn)生負(fù)面的影響，所以本文采用沉淀法和置換法制備 CuO包覆的Zn1.8SiO3.8陶瓷，試圖在降低燒結(jié)溫度的同時(shí)減小助燒劑對(duì)陶瓷介電性能的惡化，通過(guò)對(duì)沉淀法和置換法制備 CuO包覆的 Zn1.8SiO3.8陶瓷的物相組成、燒結(jié)特性、顯微結(jié)構(gòu)和微波介電性能的研究，探討了 Zn1.8SiO3.8陶瓷低溫?zé)Y(jié)機(jī)制，致密化過(guò)程和 CuO在陶瓷基體內(nèi)的分布情況，并與固相法、直接抽濾法進(jìn)行對(duì)比。相較于傳統(tǒng)的燒結(jié)，微波

3、燒結(jié)能夠?qū)崿F(xiàn)材料的整體加熱，不僅能夠降低燒結(jié)溫度，縮短燒結(jié)時(shí)間，而且能夠影響晶粒的發(fā)育過(guò)程，控制材料的顯微結(jié)構(gòu)。本文對(duì)Zn1.8SiO3.8陶瓷進(jìn)行微波燒結(jié)，研究微波燒結(jié)對(duì)Zn1.8SiO3.8陶瓷的燒結(jié)行為、物相組成、微觀(guān)結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴沉淀法和置換法包覆CuO的低溫?zé)Y(jié)機(jī)制是液相燒結(jié)?？蓪n1.8SiO3.8陶瓷的燒結(jié)溫度由1350℃降低到1000℃，使Zn1.8SiO3.8陶瓷滿(mǎn)足與銅

4、電極，銀鈀合金電極共燒。⑵沉淀法制備4wt％CuO包覆的 Zn1.8SiO3.8陶瓷，在1000℃燒結(jié)3h，可得到最佳的微波介電性能：εr=6.5，Q·f=63151GHz，τf=-35ppm/℃。置換法引入CuO，當(dāng) CuO包覆量為5wt%時(shí)，經(jīng)1000℃燒結(jié)3h的 Zn1.8SiO3.8陶瓷具有最佳的微波介電性能：εr=6.5，Q·f=67341GHz，τf=-23ppm/℃，其品質(zhì)因數(shù)要遠(yuǎn)高于固相混合法(39373GHz)和直接抽

5、濾法(53803GHz)的品質(zhì)因數(shù)，可以認(rèn)為沉淀法和置換法引入 CuO在降低溫度的同時(shí)減小了助燒劑對(duì)陶瓷微波介電性能的惡化。⑶微波燒結(jié)法降低了Zn1.8SiO3.8陶瓷的燒結(jié)溫度約50℃，且大大縮短了保溫時(shí)間，僅為傳統(tǒng)燒結(jié)保溫時(shí)間的1/6，Zn1.8SiO3.8陶瓷在1300℃微波燒結(jié)30min，具有優(yōu)異的的微波介電性能：εr=6.3，Q·f=83357GHz，τf=-37.7ppm/℃。⑷微波燒結(jié)的 Zn1.8SiO3.8陶瓷的主晶相