基于DOE的光子晶體光纖與單模光纖的熔接技術(shù)研究.pdf

1、隨著光子晶體光纖(PCF)迅速發(fā)展，為了使光子晶體光纖應(yīng)用于傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)中，光子晶體光纖和普通單模單模光纖(SMF)的熔接逐漸成為了熱點(diǎn)。因?yàn)槿羰且揽繖C(jī)械支架直接耦合的話(huà)，也可以達(dá)到低損耗，但是這只能適用于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，并不能廣泛的應(yīng)用于戶(hù)外環(huán)境中，且可靠性不高，而采用熔接的方式就可以避免這些問(wèn)題。然而由于光子晶體光纖所獨(dú)有的包層空氣孔結(jié)構(gòu)，使其很難實(shí)現(xiàn)與普通單模光纖的熔接。本論文主要是使用電弧放電方式通過(guò)改變?nèi)劢訖C(jī)的熔接參數(shù)來(lái)減小光子晶

2、體光纖與普通單模光纖的熔接損耗，提高熔接質(zhì)量。但是我們知道，熔接機(jī)中需要設(shè)定很多的熔接參數(shù)，而這大量的參數(shù)，以及他們之間的交互作用，使得這項(xiàng)工作變得異常沉悶。因此本論文提出了一種不同于以往的試驗(yàn)方法，我們以普通熔接機(jī)的參數(shù)為變化因子，以熔接點(diǎn)的質(zhì)量為響應(yīng)來(lái)設(shè)計(jì)正交試驗(yàn)來(lái)實(shí)現(xiàn)光子晶體光纖與普通單模光纖的低損耗熔接。
　　本論文主要是分別對(duì)模場(chǎng)匹配和模場(chǎng)不匹配這兩種光子晶體光纖與單模光纖進(jìn)行正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)，并根據(jù)統(tǒng)計(jì)方法分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)，最