非晶In-Ga-Zn-O肖特基二極管性能的研究.pdf

1、相比于PN結(jié)二極管，由多數(shù)載流子導通的肖特基二極管具有響應速率快，正向?qū)▔航档偷葍?yōu)點，在直流、微波領域得到廣泛應用。近年來,以非晶In-Ga-Zn-O(a-IGZO)為代表的非晶氧化物半導體由于其高電子遷移率(＞10cm2/Vs)、可大面積均勻成膜、制備溫度低、可見光透明、柔性等優(yōu)點引起了人們廣泛重視。本文針對IGZO基肖特基二極管的性能進行了系統(tǒng)化的研究。
　　本文解釋了肖特基二極管的工作原理，列出了二極管中存在的電荷傳輸過程

2、，闡述了結(jié)電容和結(jié)擊穿兩個方面。列出了處理實驗數(shù)據(jù)的基本公式，通過公式推導實驗中各個參數(shù)。介紹了整個實驗工藝及設備，并指出了應用這些設備過程中應注意的事項。盡管近年來IGZO基薄膜晶體管得到了廣泛的研究，而相對于此種材料的肖特基二極管的研究卻非常少，盡管二極管是大部分集成電路和微波前段整流器方面關鍵組成部分。這里我們用射頻磁控濺射法在室溫下制備了IGZO基肖特基二極管，對二極管不同陽極金屬、不同濺射功率、不同氧濃度、不同IGZO薄膜厚度

3、等方面進行了系統(tǒng)的研究，同時研究了這些條件下二極管的擊穿電壓特性。實驗發(fā)現(xiàn)，高功函數(shù)金屬Pd與其他金屬相比由于其表面易被氧化更易形成具有良好性能的肖特基二極管。在濺射過程中，極高的射頻功率和氧濃度都會導致Pd-IGZO接觸界面質(zhì)量下降，從而降低了二極管性能。在低功率(≤70W)和低的氧濃度(2.5％～5％)情況下制備的高性能肖特基二極管得到了高的整流率1.25×105，低的理想因子1.14，以及高的勢壘高度0.73 eV。不同IGZO薄