2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度達(dá)3.37eV,ZnO的激子束縛能為60MeV,高于GaN材料的21MeV,更易于實現(xiàn)室溫紫外受激發(fā)射。ZnO易于找到晶格匹配的襯底材料,外延生長溫度低,成膜性強,熱穩(wěn)定和化學(xué)穩(wěn)定性好,因此ZnO材料的研究是近年來光電子材料領(lǐng)域的重要課題。
  實驗采用射頻磁控濺射法,選取摻有Al2O3(Al2O3質(zhì)量百分比為2%)的ZnO靶材,在玻璃載玻片上面制備 ZnO:Al(AZO)薄膜,研究襯底溫

2、度、濺射壓強與不同緩沖層對AZO薄膜的形貌結(jié)構(gòu)、光學(xué)與電學(xué)性能的影響。本文主要研究以下幾個方面:
 ?。?)采用磁控濺射法制備AZO薄膜,通過改變襯底溫度,來研究溫度對薄膜的結(jié)構(gòu)形貌與光電性能的影響,找出薄膜制備的最佳襯底溫度。結(jié)果發(fā)現(xiàn):在襯底溫度為300℃時,薄膜的結(jié)晶質(zhì)量最好,c軸衍射峰最強,薄膜的光透率最高,電阻率最低,其最低電阻率為3.91×10-3Ω·cm。
 ?。?)在改變?yōu)R射壓強條件下制備AZO薄膜,分析濺射壓

3、強對薄膜的性能影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn):當(dāng)濺射壓強為1.0Pa時,具有良好的c軸擇優(yōu)取向,薄膜的形貌結(jié)構(gòu)最佳,薄膜結(jié)晶質(zhì)量較好,具有最低電阻率為4.28×10-3Ω·cm。
 ?。?)在襯底上制備了ZnO和Al2O3緩沖層,然后在緩沖層上制備AZO薄膜,研究緩沖層對薄膜性能的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn):引入緩沖層的薄膜XRD衍射峰更強,薄膜的結(jié)晶質(zhì)量變好,透過率有所提高,薄膜的導(dǎo)電性能也得到改善,引入ZnO緩沖層制備的AZO薄膜具有最低電阻率為5.8×

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