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文檔簡介
1、單壁碳納米管由于其具有獨特的物理化學(xué)性質(zhì),而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注。而設(shè)計非傳統(tǒng)納米管并對他們進(jìn)行表面修飾可以得到全新的納米管性質(zhì),使其具有更加廣泛的用途。在本論文按照能量最低原理設(shè)計出比傳統(tǒng)納米管性質(zhì)更為優(yōu)越的3/8型單壁納米管,并采用以第一性原理為基礎(chǔ)的密度泛函理論(DFT)方法對相關(guān)的被K和Br原子吸附的單壁納米管和單壁納米雙管進(jìn)行優(yōu)化并對吸附能和導(dǎo)電性能進(jìn)行了計算。應(yīng)用VASP軟件包,采用GGA和PAW對他們進(jìn)行計算,具體如
2、下:
1、對各種幾何構(gòu)型的優(yōu)化,以最低能量為判據(jù),設(shè)計出結(jié)合能比傳統(tǒng)納米管更低的納米管,它是由24個碳原子分別通過彼此分隔的3元環(huán)和8元環(huán)連接,形成具有Oh對稱性的籠為晶胞,無限延伸形成的。在此基礎(chǔ)上,通過兩納米管平行相聯(lián),得到更為穩(wěn)定的雙管單壁納米管。
2、對上述3/8型單管單壁納米管在不同不等價位點與Br原子形成的復(fù)合物的幾何構(gòu)型優(yōu)化,系統(tǒng)計算了Br在的橋位、頂位和穴位的吸附能。通過分析和比較結(jié)合能,發(fā)現(xiàn)
3、Br原子在3/8碳納米單管的穩(wěn)定吸附位點是face4+6,其吸附能最低(-2.27eV)。同時,Br的存在可以增強碳納米管的導(dǎo)電性能。
3、進(jìn)一步考查了吸附不同數(shù)量的Br原子,對3/8單壁碳納米管性質(zhì)的影響。發(fā)現(xiàn)對應(yīng)的碳納米管不同的吸附原子數(shù)所得到的平均吸附能是不一樣的,在face4+6位點吸附3個Br原子的熱力學(xué)穩(wěn)定性和導(dǎo)電性能更好,同時其對應(yīng)的態(tài)密度圖也有明顯差異。與經(jīng)過K修飾的3/8單壁碳納米管相比較,吸附了Br原子
4、的3/8單壁碳納米管的熱力學(xué)穩(wěn)定性和導(dǎo)電性能都有所提高。
4、對雙管型納米管進(jìn)行類似Br原子吸附的研究,發(fā)現(xiàn)top6是雙管表面最為穩(wěn)定的Br吸附位點。對不同數(shù)量的Br原子吸附在納米管以后的幾何構(gòu)型進(jìn)行了優(yōu)化并對它的熱力學(xué)穩(wěn)定性能進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)吸附2個Br原子以后的納米管是最為穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。根據(jù)態(tài)密度(DOS)圖,分析了被Br修飾的雙管納米管的導(dǎo)電性能,也發(fā)現(xiàn)被Br吸附的雙管碳納米管的導(dǎo)電性能顯著提高。
5、研
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