多頻段下一代通信系統(tǒng)射頻前端微波無(wú)源器件新設(shè)計(jì).pdf

1、本文主要探討了在各國(guó)不同頻帶標(biāo)準(zhǔn)下設(shè)計(jì)多頻段下一代4G通信系統(tǒng)射頻前端時(shí)所使用的薄膜無(wú)源器件設(shè)計(jì)以及系統(tǒng)搭建優(yōu)化處理。針對(duì)現(xiàn)有WiMax以及未來LTE系統(tǒng)的不同標(biāo)準(zhǔn)頻段使用安森美提供的設(shè)計(jì)工藝提出了自己的設(shè)計(jì)以及仿真結(jié)果,具有較高的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。本文所采用的SIP方法能夠大大加速系統(tǒng)設(shè)計(jì)和集成的速度,具有很高的靈活性。本文設(shè)計(jì)的無(wú)源器件既可以作為整體基板集成使用,搭配數(shù)字基帶和有源砷化鎵器件既可組成完整的無(wú)線通信系統(tǒng),同樣也可以作為獨(dú)立

2、器件單獨(dú)封裝使用,通過倒裝片與金線綁定等多種方式使用在無(wú)線通信系統(tǒng)中,由于硅基板工藝與傳統(tǒng)的晶圓代工廠工藝高度兼容,可以極大地降低成本,同時(shí)擁有很好的尺寸和性能。
　　 本文首先對(duì)于微波集成電路現(xiàn)有流行的各種技術(shù)予以了介紹和分析,對(duì)于各種技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)有著深入的分析,提出采用現(xiàn)有模擬IC代工廠所常用的硅基工藝制作無(wú)源器件,對(duì)于困擾硅基器件的片上電感品質(zhì)因素提高的問題,在分析傳統(tǒng)和改進(jìn)型高Q值模擬IC工藝的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步提出采用晶圓

3、封裝工藝的WLCSP技術(shù),以在晶圓代工廠制作片上電感的步驟基礎(chǔ)上在封測(cè)廠后道制作疊層電感,通過版圖級(jí)仿真和實(shí)際測(cè)量結(jié)果,對(duì)于這一影響小型化器件性能的關(guān)鍵器件性能有了比較好的提高。
　　 其次,本文在以上研究的基礎(chǔ)上基于安森美公司的設(shè)計(jì)工藝在第四代通信系統(tǒng)的多種頻段設(shè)計(jì)仿真了多種常用的微波無(wú)源器件,采用集總參數(shù)結(jié)構(gòu)以符合小型化的要求,并在電路級(jí)和版圖級(jí)進(jìn)行了仿真和優(yōu)化,部分設(shè)計(jì)結(jié)果經(jīng)過實(shí)際流片測(cè)試校正,與仿真結(jié)果非常吻合,具有良好