多孔硅微腔及其鑲嵌有機(jī)發(fā)光材料的光學(xué)性質(zhì)研究.pdf

1、在該文中,我們采用電化學(xué)脈沖腐蝕方法,并在電解液中加入甘油,增強(qiáng)其粘度,在P型單晶硅襯底(電阻率1~20 Ω.cm)上成功地制備出高質(zhì)量的多孔硅微腔.8-羥基喹啉鋁(Alq3)是一種重要的有機(jī)電致發(fā)光材料,它的發(fā)光峰也很寬,這限制了它在平面顯示等方面的應(yīng)用.為了窄化Alq3的發(fā)光峰,我們將其填入多孔硅微腔中,并研究了復(fù)合膜的光學(xué)特性.第一章是多孔硅微腔的概述部分.主要講述了多孔硅微腔的發(fā)光特性、結(jié)構(gòu)、制備過(guò)程.第二章介紹了樣品制備裝置和

2、測(cè)試儀器.第三章是關(guān)于多孔硅微腔制備的研究及老化對(duì)多孔硅微腔發(fā)光的影響.主要討論了三個(gè)方面.一、用電化學(xué)脈沖腐蝕法制備多孔硅微腔,優(yōu)化了實(shí)驗(yàn)參數(shù).二、利用脈沖腐蝕法,并且用甘油部分取代腐蝕液中的乙醇,來(lái)增加電解液粘度,成功地在P型單晶硅片上制備出高質(zhì)量的多孔硅微腔.半高寬窄化到5.5nm,這個(gè)指標(biāo)與用P+型單晶硅片制備的多孔硅微腔樣品接近,但其發(fā)光外量子效率大大提高.如果采用普通的直流腐蝕法,在電解液中加入甘油的比例不能太大,否則反應(yīng)生

3、成的氫氣泡不易及時(shí)排出,造成腐蝕不均勻.三、研究了老化對(duì)多孔硅微腔的影響.老化使其發(fā)光增強(qiáng),發(fā)光峰半高寬增大,峰位藍(lán)移.為了使發(fā)光穩(wěn)定,我們采用電化學(xué)氧化對(duì)新制備的多孔硅微腔進(jìn)行處理,處理后發(fā)光的穩(wěn)定性有了明顯提高.第四章研究了多孔硅及其微腔鑲嵌Alq3的熒光光譜.多孔硅鑲嵌Alq3膜的熒光光譜與Alq3在乙醇溶液中的光譜類似,并且光譜的線型更加對(duì)稱.隨著嵌入的Alq3分子數(shù)增多,發(fā)光增強(qiáng),峰位紅移,但是聚集程度太大時(shí),有熒光猝滅現(xiàn)象發(fā)