直流電弧放電法制備新型納米碳材料的深入研究.pdf

1、碳納米材料是納米材料的一個重要分支,其相關研究已經(jīng)成為當前國際上最活躍的前沿領域之一。本文采用直流電弧放電法,在氮氣氣氛下,主要考察了碳源、氮氣溫度、基片放置位置對放電產物形貌及收率的影響；借助掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、選區(qū)電子衍射(SAED)表征方法,對放電產物的形貌、微觀結構進行了表征。本文還采用焙燒方法對電弧放電實驗所用的碳源進行了篩選。
　　 SEM表征結果表明,在放置于電弧放電區(qū)域上面和下面的

2、基片上,使用碳黑為碳源比石墨為碳源更有利于生成準網(wǎng)狀結構產物,但在放置于電弧放電區(qū)域側面的基片上則相反；在放置于電弧放電區(qū)域上面和側面的基片上,氮氣進氣溫度為800℃時比氮氣進氣溫度為室溫時更有利于生成準網(wǎng)狀結構產物,但以碳黑為碳源時,在放置于電弧放電區(qū)域下面的基片上則相反。不銹鋼片的放置位置對于其表面生成產物的形貌的影響無明顯的規(guī)律性。在多數(shù)條件下,在不銹鋼片上均生成表面類似動物胃壁的絨球狀產物,但無明顯的規(guī)律性。
　　 TE

3、M表征結果表明,在放置于電弧放電區(qū)域側面和下面的基片上,使用碳黑為碳源比石墨為碳源更有利于生成納米顆粒；但在放置于電弧放電區(qū)域上面的基片上,氮氣進氣溫度為室溫時則相反；在放置于電弧放電區(qū)域上面的基片上,氮氣進氣溫度為室溫比氮氣進氣溫度為800℃時更有利于生成尺寸較小的納米顆粒;但在放置于電弧放電區(qū)域下面的基片上則相反。基片的放置位置對于其表面生成產物的形貌的影響是:在放置于電弧放電區(qū)域上面的基片上均是以納米顆粒為主；但在放置于電弧放電區(qū)