LiF緩沖層對(duì)基于酞菁銅二極管電存儲(chǔ)器的性能調(diào)控研究.pdf

1、有機(jī)二極管電存儲(chǔ)器以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、材料易取、尺寸可縮性好、具備可堆疊多維多值存儲(chǔ)能力等優(yōu)點(diǎn)，成為了存儲(chǔ)器行業(yè)的研發(fā)重點(diǎn)。但是，在獲取高密度高集成化的有機(jī)二極管電存儲(chǔ)器中，存在著性能不穩(wěn)定和存儲(chǔ)單元中串?dāng)_電流帶來(lái)的數(shù)據(jù)誤讀問(wèn)題。因此，研究解決有機(jī)二極管電存儲(chǔ)器中存在的串?dāng)_電流問(wèn)題和探索調(diào)控優(yōu)越的器件性能具有重要意義。
　　本論文基于酞菁銅有機(jī)二極管電存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)制備了一系列不同結(jié)構(gòu)的器件，采取界面修飾調(diào)控手段，引入緩沖層對(duì)有機(jī)二極管存儲(chǔ)

2、器件進(jìn)行界面調(diào)控，獲得了同時(shí)具有存儲(chǔ)特性和整流效應(yīng)的有機(jī)二極管存儲(chǔ)器件，并分別在單層活性層結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)的有機(jī)二極管存儲(chǔ)器中進(jìn)行推廣探討。通過(guò)系列調(diào)控實(shí)驗(yàn)以及機(jī)制分析揭示了緩沖層在有機(jī)二極管存儲(chǔ)器中的應(yīng)用潛力，此外總結(jié)了實(shí)驗(yàn)的一般規(guī)律，證明了陽(yáng)極緩沖層在有機(jī)二極管存儲(chǔ)器中具有可靠的普適性，并推測(cè)所設(shè)計(jì)的器件性能能有效抑制有機(jī)二極管電存儲(chǔ)器件中存在的串?dāng)_電流問(wèn)題。
　?。?）基于酞菁銅（CuPc）設(shè)計(jì)了ITO/CuPc/

3、Al的有機(jī)二極管電存儲(chǔ)器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)引入陽(yáng)極緩沖層，設(shè)計(jì)制備了具備大整流與穩(wěn)定存儲(chǔ)的二極管存儲(chǔ)器件ITO/LiF/CuPc/Al。陽(yáng)極緩沖層在器件中的應(yīng)用使得器件的開關(guān)電流比得到了提升，同時(shí)擁有了更穩(wěn)定的存儲(chǔ)回滯窗口和可觀的整流比，存儲(chǔ)開關(guān)比和整流比可最大達(dá)到103。此外，活性層與緩沖層的不同厚度實(shí)驗(yàn)以及緩沖層不同位置實(shí)驗(yàn)表明了該器件的機(jī)制源于陽(yáng)極緩沖層帶來(lái)的界面修飾作用，從而使得活性層中的陷阱電荷得以釋放與再填充，并造成了器件正負(fù)方向

4、的電流值巨大差異而產(chǎn)生了可觀的整流。
　?。?）引入陽(yáng)極緩沖層改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)從而改善器件性能這一發(fā)現(xiàn)，進(jìn)一步研究了陽(yáng)極緩沖層在以異質(zhì)結(jié)主體結(jié)構(gòu)的器件性能調(diào)控。系統(tǒng)研究了ITO/LiF/CuPc/F16CuPc/Al結(jié)構(gòu)的二極管電存儲(chǔ)器件，通過(guò)設(shè)計(jì)LiF在異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)器件中的不同位置實(shí)驗(yàn)，LiF在器件中不同的位置表現(xiàn)出不同的器件電學(xué)性能，證明了緩沖層在陽(yáng)極位置給器件帶來(lái)的性能改善，同時(shí)設(shè)計(jì)了不同活性層材料組成的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)器件，在引入陽(yáng)極