靜電紡絲法制備一維納米復(fù)合材料.pdf

1、浙江理工大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：我恪守學(xué)術(shù)道德，崇尚嚴(yán)謹(jǐn)學(xué)風(fēng)。所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已明確注明和引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品及成果的內(nèi)容。論文為本人親自撰寫，我對所寫的內(nèi)容負(fù)責(zé)，并完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名鰣影日期：西12年三月zlEt浙江理工大學(xué)碩士學(xué)位論文四針狀氧化鋅晶須／形狀記憶聚氨脂復(fù)合材料的制備及

2、性能研究摘要為了改善形狀記憶聚氨脂(SMPU)存在的強(qiáng)度低、耐熱性不足、電性能差等問題，利用四針狀氧化鋅晶須(TZnOw)特有的三維空間立體結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的力學(xué)性能、耐熱性能和電學(xué)性能，將TZnOw與SMPU復(fù)合，制備ToZnOw／SMPU復(fù)合材料，以期在提高SMPU力學(xué)性能的同時，提高SMPU的耐熱性能和導(dǎo)電性能，以擴(kuò)大SMPU的應(yīng)用范圍。由于TZnOw在復(fù)合材料中良好性能的發(fā)揮，必須建立在TZnOw能夠均勻地分散在SMPU中的基礎(chǔ)上。因

3、此，為了制備具有良好復(fù)合效應(yīng)的TZnOW／SMPU復(fù)合材料，本文首先針對TZnOw表面能太大，很難與樹脂基體界面結(jié)合，且難以均勻分散到SMPU中的關(guān)鍵問題，分別使用聚乙二醇(PEG)分散劑和1，(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(KH570)對TZnOw進(jìn)行表面處理，并對處理前后TZnOw的表面性能進(jìn)行表征。研究發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過表面處理后，TZnOw分別很好地負(fù)載了PEG和KH570。在對TZnOw表面改性處理的基礎(chǔ)上，采用溶液混合法制備TZn

4、Ow／SMPU復(fù)合材料。研究發(fā)現(xiàn)，通過表面處理后的TZnOw鏈iIJ備的復(fù)合材料，其拉伸強(qiáng)度，儲能模量得到較大程度的提高，當(dāng)TZnOw含量為3wt％時復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度相對于純SMPU提高了3多倍，拉伸彈性模量也得到了提高，并在一定程度上提高了復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性；SMPU復(fù)合TZnOw后，SMPU的結(jié)晶度有一定的降低，但經(jīng)過表面改性處理的TZnOw對SMPU的結(jié)晶度破壞程度比未經(jīng)處理的ToZnOw對SMPU的結(jié)晶度破壞程度?。籗MPU與

5、表面處理的TZnOw復(fù)合后，砭有所提高，當(dāng)TZnOw含量達(dá)3wt％時復(fù)合材料品比純SMPU的提高了20℃。SMPU復(fù)合TZnOw后，形狀記憶性能基本不變，且當(dāng)TZnOw含量從1wt％提高至U3wt％時，體積電阻率的下降幅度較大，但隨著ToZnOw含量的進(jìn)一步增加，體積電阻率的下降幅度逐漸減緩，表面處理過的TZnOw／SMPU復(fù)合材料的導(dǎo)電性能要好于表面未經(jīng)處理的TZnOw／SMPU復(fù)合材料。當(dāng)TZnOw表面負(fù)載銀顆粒時，TZnOw／SM