圖形化襯底LED芯片的技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文的主要研究內(nèi)容涉及圖形化襯底對GaN基LED發(fā)光二極管光電性能的影響。實驗中制作了表面圖形直徑和周期不同的GaN圖形襯底。再利用MOCVD材料生長設(shè)備側(cè)向外延生長了GaN基LED外延片(其主要結(jié)構(gòu)包括:n-GaN、量子阱和p-GaN)。通過這種方式可以實現(xiàn)一次性生長具有不同結(jié)構(gòu)的量子阱層。之后對外延片進(jìn)行了LED工藝加工的后續(xù)工藝。對不同結(jié)構(gòu)的圖形化襯底外延片進(jìn)行了光致發(fā)光的光譜測試。研究不同尺寸和結(jié)構(gòu)的圖形襯底引起的量子阱結(jié)構(gòu)不同

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