SOI PMOS器件在總劑量輻照下的特性退化與物理機(jī)理研究.pdf

1、在傳統(tǒng)體硅技術(shù)中，隨著器件特征尺寸的減小，器件內(nèi)部以及器件之間通過襯底的相互作用變得越來越嚴(yán)重，隨之產(chǎn)生的一些寄生效應(yīng)嚴(yán)重地影響了器件的性能。絕緣體上的硅（SOI: Silicon-on-Insulator）技術(shù)通過全介質(zhì)隔離具有許多體硅材料無法比擬的優(yōu)勢(shì)，這使其廣泛地應(yīng)用于空間、軍事等領(lǐng)域。本文對(duì)SOI器件的總劑量輻射效應(yīng)進(jìn)行了研究，得到了SOI器件輻照的物理模型。
　　本文首先介紹了SOI器件的基本特性，并分析了SOI器件受到

2、輻照之后特性退化的基本物理機(jī)制。其次，本文對(duì)幾組0.8m工藝的SOI PMOS器件用60Co射線源進(jìn)行總劑量輻照實(shí)驗(yàn)，得到了器件輻照前后的前柵、背柵閾值電壓曲線以及亞閾值曲線。通過對(duì)不同柵氧化層厚度以及溝道長度器件的特性的比較，得到了SOI器件總劑量輻照特性的物理模型。輻照后特性的退化趨勢(shì)受器件柵氧化層厚度及溝道長度的影響與這些物理模型取得了很好的吻合。最后，通過ISE TCAD軟件模擬按照實(shí)驗(yàn)樣品的參數(shù)進(jìn)行模型的建立，并進(jìn)行總劑量輻射