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文檔簡介
1、現(xiàn)代無線通信對功率放大器的功率、線性度、效率和帶寬等指標提出了越來越高的要求。特別是軟件無線電的提出，使得寬帶功率放大器的研究變得非常緊迫而且極具現(xiàn)實意義。GaNHEMT作為第三代半導體材料，與第一、第二代半導體材料相比具有寬禁帶、高擊穿場強和良好的熱穩(wěn)定性等特性，因此在寬帶功率放大器設計中具有巨大優(yōu)勢，基于GaNHEMT的寬帶功率放大器的研究也逐漸成為研究的熱點。
本文基于RFMD公司的GaNHEMTRF3931設計了一
2、款單級寬帶功率放大器。首先給出了功率放大器設計的一些基礎知識，其間就寬帶功率放大器的獨特之處進行了具體的分析，主要討論了寬帶功率放大器的工作頻帶、增益平坦度和穩(wěn)定性問題。接著詳細介紹了寬帶功率放大器的設計方法以及設計步驟。文中設計了一款新型寬帶直流偏置網(wǎng)絡，該偏置網(wǎng)絡在30MHz～2000MHz內(nèi)具有較好的隔離度和較低的傳輸損耗。設計中采用了負反饋、有耗匹配和寬帶匹配網(wǎng)絡來使寬帶功率放大器在工作頻帶內(nèi)具有較好的增益平坦度。整個電路采用A
3、DS軟件進行仿真設計，利用DXP軟件進行版圖的繪制。論文最后給出了寬帶功率放大器的實測結(jié)果，工作頻帶為30MHz～2000MHz，采用100Ω負反饋電阻時，小信號增益為12.5±3.5dB，1dB壓縮點輸出功率為41dBm(12.6W)～44.4dBm(27.5W)，功率附加效率為19.0％～44.3％。在頻率為1GHz時，寬帶功放的線性增益為12.1dB，1dB壓縮點輸出功率為42.1dBm;采用150Ω負反饋電阻時，小信號增益為12
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