超寬帶片上電感研究與設(shè)計.pdf

1、在迅速發(fā)展的無線通信產(chǎn)業(yè)中,尤其是在硅基射頻集成電路領(lǐng)域,高質(zhì)量的無源器件的設(shè)計成為一個關(guān)鍵的問題?；诖?本文重點研究了超寬帶下的片上電感的形狀結(jié)構(gòu)和幾何尺寸的設(shè)計和優(yōu)化方法。區(qū)別于傳統(tǒng)片上電感的研究思路,本文并沒有將片上電感僅僅當(dāng)作一個孤立器件來研究,而是將其作為一個子電路并與其應(yīng)用電路進行協(xié)同優(yōu)化設(shè)計。
　　本文首先從片上電感的物理機理以及電磁場理論出發(fā),對片上電感的制作工藝、材料參數(shù)、損耗機制以及各種寄生效應(yīng)進行了研究。接

2、著研究了片上電感的分析模型、評估方法、程序計算以及電磁仿真軟件。
　　然后提出了一套行之有效的超寬帶片上電感的優(yōu)化設(shè)計的流程來優(yōu)化設(shè)計了片上電感。在此基礎(chǔ)上,設(shè)計完成了超寬帶正交信號發(fā)生器電路,實現(xiàn)了片上電感與其應(yīng)用電路的協(xié)同優(yōu)化,將重要指標相位誤差降低到5度。
　　最后,結(jié)合超寬帶的特點以及目前的集成片上電感研究的熱點,設(shè)計完成了一個1-8GHz下的有源電感,另外為在寬帶下達到提高 Q值的目的,設(shè)計完成一個1-20GHz下