GaSb基化合物半導體激光器件刻蝕工藝研究.pdf

1、本論文在簡要介紹GaSb基化合物半導體激光器及其器件工藝的發(fā)展現狀后，分析討論了目前GaSb基材料的刻蝕工藝存在的問題，并將其分為兩部分分別進行研究：第一部分是GaSb基材料的臺面濕法刻蝕工藝條件的研究，第二部分是GaSb的化學機械拋光工藝研究。
　　在第一部分中，本文主要對現有的GaSb基材料的濕法刻蝕工藝進行了改進。實驗中分別利用鹽酸系和磷酸系腐蝕液對GaSb材料進行了臺面刻蝕的研究。實驗分析表明，HCl/H2O2/CH3CO

2、OH和H3PO4/H2O2/C4H6O6這兩種腐蝕液對GaSb材料都有較好的刻蝕效果，均可達到各向異性、臺面腐蝕形貌良好、腐蝕速率穩(wěn)定可控的濕法刻蝕條件，說明強酸/強氧化劑/弱酸的腐蝕液的組合可以很好地適用于GaSb基材料的刻蝕。其中，通過調整H3PO4/H2O2/C4H6O6這一體系的組分，最大程度地消除了濕法刻蝕工藝中廣泛存在的下切效應以及鉆蝕現象(即燕尾效應)，其表面粗糙度也明顯降低。
　　第二部分主要根據化學機械拋光的工作