大功率LED芯片的制備及提高出光效率的研究.pdf

1、大功率LED的研制是近年來LED發(fā)展的趨勢。該器件具有發(fā)光效率高、電流承受力強等優(yōu)點，因此越來越廣泛的應用于大面積顯示、室內(nèi)外照明、汽車燈等領域。提高LED發(fā)光效率是加速LED發(fā)展并且實現(xiàn)LED普及應用的必要條件。
　　 深入分析LED的發(fā)光原理以及外延材料及結構的特性、優(yōu)化LED管芯的制備工藝、提高LED的出光效率等對LED的應用具有重要意義。本論文的目的是：對LED芯片的制備工藝進行優(yōu)化，使工藝步驟減少，工藝時間縮短，并提高

2、LED的穩(wěn)定性；采用新工藝制備出LED芯片并對其特性進行測試；通過仿真得出增透膜對LED出光效率的影響；優(yōu)化并仿真平板光子晶體LED的器件結構參數(shù)，得出提高LED出光效率的最佳平板光子晶體結構參數(shù)。
　　 本文簡述了LED的發(fā)光原理、優(yōu)點及其發(fā)展和現(xiàn)狀，并詳細介紹了大功率LED的特性及提高LED發(fā)光效率的因素及方法。重點研究了大功率LED的工藝改進，詳細闡述了改進后的工藝流程及改進后的關鍵工藝步驟，成功制備出AlGaInP材料的

3、大功率紅光LED，并對其特性進行測試。簡述了增透膜提高LED出光效率的原理，通過仿真驗證增透膜對LED出光效率的影響；闡述利用光子晶體結構提高LED出光效率的原理，并對AlGaInP材料的紅光光子晶體LED及GaN基藍光光子晶體LED的器件結構參數(shù)進行優(yōu)化，經(jīng)仿真得出光子晶體平板結構的最佳參數(shù)，并使用ASAP軟件對三種LED器件模型的光通量進行模擬，從而評價光子晶體結構對LED出光效率的提高。
　　 本文所做的主要工作有：