氧化鉍-二氧化硅系統(tǒng)高溫熔體物理性質的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩61頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、硅酸鉍(BSO)是一種十分重要的功能材料,具有獨特的光電、電導、聲光、壓電、鐵電性能,可以用來制造高性能光折變晶體、光變色玻璃、高溫超導體、電子陶瓷、高選擇性催化劑等。近年來,有關Bi2O3-SiO2系統(tǒng)的研究大多圍繞相平衡、BSO單晶制備、材料性能測定及應用展開。目前對該系統(tǒng)的全面研究仍十分欠缺,眾多研究工作尚未展開,晶體生長基本規(guī)律、條件、性能改善、熔體奇異現象及其對結晶的影響因素還未查明,諸多現象仍然無法解釋。
   本文

2、在前人的基礎上,采用了固相法制備了硅酸鉍各種晶型的熔塊及對其晶體結構分析;自行組裝了一套測量高溫熔體密度,表面張力的裝置;用自行組裝的裝置測量了Bi2O3-SiO2系統(tǒng)高溫熔體的密度,表面張力隨溫度的變化趨勢。具體工作如下:
   第二,以氧化鉍(分析純)和二氧化硅(分析純)為原料,用固相法合成了Bi2O3,Bi12SiO20,Bi2SiO5和Bi4Si3O12熔塊。合成Bi12SiO20的最佳工藝為當Bi2O3和SiO2粉體摩

3、爾比為6.1:1,鍛燒溫度為850℃;合成Bi2SiO5的最佳工藝為當Bi2O3和SiO2粉體摩爾比為1.05:1,鍛燒溫度為800℃;合成Bi4Si3O12的最佳工藝為當Bi2O3和SiO2粉體摩爾比為2.1:3,鍛燒溫度為880℃。
   第三,用改進的浸球法測量Bi2O3,Bi12SiO20,Bi2SiO5和Bi4Si3O12這四種熔體密度在高溫下的變化規(guī)律;并用一次線性擬合出各自的密度隨著溫度變化的公式;四種熔體的密度都

4、是隨著溫度的升高不斷減?。蝗垠w密度隨著氧化鉍含量的減小而降低;密度的溫度系數隨著氧化鉍含量的減小而降低;熔體的體積膨脹系數隨著成分的變化先減小后增大。
   第四,用吊片法測量Bi2O3,Bi12SiO20,Bi2SiO5和Bi4Si3O12這四種熔體表面張力在高溫下的變化規(guī)律;并用二次線性擬合出各自的密度隨著溫度變化的公式;四種熔體的表面張力都是隨著溫度的升高不斷減?。蝗垠w表面張力隨著氧化鉍含量的減小而增加;四種熔體的表面張力

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論