200V大功率VDMOSFET設計研究.pdf

1、功率MOS場效應晶體管是新一代電力電子開關器件，在微電子工藝基礎上實現(xiàn)電力設備高功率大電流的要求。VDMOS是80年代以來應用范圍最廣的功率器件之一。VDMOS和雙極晶體管相比具有開關速度快、開關損耗小、頻率高等優(yōu)點。
    本文通過VDMOS的電參數(shù)來確定其結構參數(shù)。通過擊穿電壓來確定外延層的厚度和電阻率，同時在外延層較薄時確定P-body的尺寸。通過閾值電壓來確定柵氧的厚度和P-bod

2、y的濃度。由飽和電流的表達式可知元胞的最大通態(tài)電流。導通電阻和擊穿電壓是兩個相互矛盾的參數(shù)，增加擊穿電壓和降低導通電阻對器件尺寸的要求是矛盾的。P島之間的距離不能太大，使相鄰P-body的耗盡層不能互相保護，也不能太小，將相鄰的P島導通。在綜合考慮了各種因素后確定器件的尺寸。根據(jù)計算的結果應用MEDICI軟件進行器件仿真，修正器件的尺寸。用TSUPREM 4軟件進行仿真，主要優(yōu)化其工藝條件，必要時修改器件尺寸。根據(jù)實際工藝和TSUPRE