錳、鈷氧化物薄膜的物性及銅氧化物電荷補(bǔ)償效應(yīng)的研究.pdf

1、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文錳、鈷氧化物薄膜的物性及銅氧化物電荷補(bǔ)償效應(yīng)的研究姓名：熊奕敏申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：陳仙輝20040601中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文 論文摘要強(qiáng)的沒有指標(biāo)的峰，這個峰在大塊樣品沒有被觀察到。這說明，這個模式是和應(yīng) 力相關(guān)的。礦第四章研究了退火對于L S C O 薄膜磁性和輸運(yùn)性質(zhì)的影響。樣品是通過在不同溫度下將非晶的薄膜退火而得到的。隨著退火溫度的升高，薄膜的電阻率減小，居里溫度和負(fù)的

2、磁阻都增大。這是由于在晶粒內(nèi)部和晶粒間的鐵磁耦臺增強(qiáng)，自旋相關(guān)和無序造成的散射減弱造成的。另外，電導(dǎo)對氧空位非常敏感。在6 0 0 和1 0 0 0 ℃退火的薄膜樣品的熱電勢表現(xiàn)出了不同的行為。在1 0 0 0 。C 退火的樣品的熱電勢與溫度成線性關(guān)系，是典型金屬性。而6 0 0 ℃制備的薄膜的熱電勢在1 5 0 K突然地增大。這可能是由于三價C o 的自旋態(tài)由中自旋態(tài)變成了低自旋態(tài)，另外非晶的基質(zhì)和缺少空穴的區(qū)域也對熱電勢做出貢獻(xiàn)。第

3、五章在這一章中我們測量T ( L a l ．。L n 。) 0 ．5 s 。o 5 C o O s 樣品的磁阻和交流磁化率。P r 和N d 摻雜導(dǎo)致居里溫度T c 的下降。隨著摻雜含量的增大，團(tuán)簇凍結(jié)的溫度向高溫移動。由于熱激發(fā)導(dǎo)致的C o 離子的自旋態(tài)的轉(zhuǎn)變，使得P r 和N d 摻雜為0 , 2 的樣品在1T 磁場下，9 0 K 的時候磁阻有一個突然的減小。當(dāng)磁場增大到7T 時，這個溫度變?yōu)? 0 K ，這是由于磁場導(dǎo)致的自旋態(tài)的

4、轉(zhuǎn)變。P r 和N d 的摻雜都會增大樣品的磁阻，而且N d 摻雜的樣品在低場下的磁阻效應(yīng)更明顯。這些都說明，離子半徑的不同以及A 位離子磁矩和C 0 3 十／C 0 4 + 子晶格的耦合所引入的可能的附加反鐵磁耦合都會對體系的磁和輸運(yùn)性質(zhì)有很大的影響。第六章在這一章中我們研究了R u 摻雜對L a l ．8 5 S t 0 ．1 5 C u 0 4 ( L S C O ) 結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)的影響。我們發(fā)現(xiàn)R u 摻雜有兩個作用。R u 摻雜