PbTe光伏探測(cè)器的研制.pdf_第1頁(yè)
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1、Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體是一類禁帶寬度很窄的化合物半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特的物理性質(zhì),是應(yīng)用于紅外波段光電探測(cè)器的理想材料。本文簡(jiǎn)要介紹了Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體的背景,系統(tǒng)回顧了紅外探測(cè)器及紅外成像系統(tǒng)的發(fā)展。在深入研究了光伏探測(cè)器的工作原理后,結(jié)合PbTe外延薄膜的物理特性,設(shè)計(jì)了In2O3／PbTe異質(zhì)結(jié)型中紅外光伏探測(cè)器。
　　 利用自主的分子束外延(MBE)生長(zhǎng)設(shè)備,在CdZnTe(111)基底上外延生長(zhǎng)p-PbTe單晶薄膜,并對(duì)薄膜的物理

2、特性進(jìn)行了一系列表征,結(jié)果表明外延生長(zhǎng)的PbTe單晶薄膜具備較高的晶體質(zhì)量。采用磁控濺射設(shè)備在p-PbTe薄膜上沉積N—In2O3多晶薄膜形成異質(zhì)結(jié)構(gòu),以此為有源區(qū),通過(guò)真空沉積ZnS薄膜做鈍化絕緣層和In薄膜做歐姆接觸電極,制成國(guó)內(nèi)第一個(gè)PbTe結(jié)型中紅外光伏探測(cè)器。將芯片封裝入杜瓦瓶,在77K溫度下測(cè)得探測(cè)器的響應(yīng)波段為1.5～5.51μm,探測(cè)率D*為2×1010cm·Hz1／22W-1。根據(jù)Ⅰ-Ⅴ特性曲線得到探測(cè)器的優(yōu)值因子R0

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