2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、BCD工藝是一種可以在同一芯片上集成雙極管Bipolar，CMOS和DMOS器件，并讓這三種器件相互取長(zhǎng)補(bǔ)短，發(fā)揮各自的特點(diǎn)的工藝。目前，BCD工藝技術(shù)還主要掌握在歐、美、日的廠商以及臺(tái)灣的代工大廠手中，我國(guó)內(nèi)地才剛開始這方面的研發(fā)和生產(chǎn)。因此，BCD工藝技術(shù)研究具有重要意義。本課題來(lái)源于與中電集團(tuán)某研究所合作的某款 H橋驅(qū)動(dòng)芯片開發(fā)和BCD工藝平臺(tái)建設(shè)的項(xiàng)目。
　　論文先從理論分析開始，考慮到整體電路的兼容性，依次初步確定每個(gè)器

2、件的結(jié)構(gòu)及參數(shù)，并給出仿真結(jié)構(gòu)。
　　然后，論文根據(jù)已設(shè)計(jì)好的基本參數(shù)，在版圖設(shè)計(jì)時(shí)結(jié)合數(shù)學(xué)軟件Matlab及版圖繪制軟件 Virtuoso對(duì)VDMOS元胞進(jìn)行優(yōu)化，主要分為三個(gè)方面，VDMOS的元胞形狀、多晶硅柵長(zhǎng)以及最佳元胞排布數(shù)量。通過優(yōu)化，VDMOS的比導(dǎo)通電阻比原來(lái)小了約30％，增大了電流，提高了電路的功率，效果很明顯，達(dá)到了優(yōu)化的目的。最后，對(duì)單管進(jìn)行測(cè)試并結(jié)合仿真值和設(shè)計(jì)指標(biāo)進(jìn)行分析，提出改進(jìn)方案。
　　本文基

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