ECR_PAMOCVD外延生長C_GaN過程中等離子體微參數對襯底預處理的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文對ECR_PAMOCVD外延生長C_GaN膜過程中各個階段等離子體的電子溫度、電子能量分布、空間電位、電子(離子(密度以及粒子種類等微參數進行了研究,并進一步探討了對襯底預處理的影響. 實驗證明襯底的預處理對立方GaN外延生長的速度和質量是置關重要的.因此,了解等離子體預處理(清洗、氮化)過程中氫、氮等離子體的微參數對改進實驗是有必要的.該論文組建了一套靜電探針數據采集系統(tǒng),并設計了配套的數據采集與處理軟件. 通過此系統(tǒng)對ECR_

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