非磁性雜質(zhì)對銅氧化物高溫超導體物理性質(zhì)影響的理論研究.pdf

1、雜質(zhì)對銅氧化物高溫超導材料物理性質(zhì)的影響的研究是高溫超導機理研究的熱點之一。本文從t-J-U模型出發(fā)．利用Gutzwiller平均場近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)理論對銅氧化物高溫超導材料中摻入的單個和多個非磁性雜質(zhì)對系統(tǒng)電子局域態(tài)密度及相關物理性質(zhì)的影響進行了較為系統(tǒng)的研究。
　　 我們在第二章里簡單介紹了可以有效描述Cu02平面內(nèi)基本物理過程的t-J-U模型，并介紹了可以較好地處理電子強關聯(lián)體系問題

2、的Gutzwiller近似理論以及研究非均勻系統(tǒng)的BdG方程。
　　 應用Gutzwiller近似理論和BdG方程我們在第三章里討論了單個非磁性雜質(zhì)對銅氧化物高溫超導材料電子局域態(tài)密度的影響：從t-J-U模型出發(fā)討論了在不同摻雜濃度時單個非磁性雜質(zhì)對系統(tǒng)電子局域態(tài)密度的影響。結(jié)果我們發(fā)現(xiàn)，隨著摻雜濃度和非磁性雜質(zhì)勢的不斷增大，在非磁性雜質(zhì)附近，超導相干峰受到的抑制越來越強，并且在零能點逐漸出現(xiàn)零能峰，零能峰的強度也隨著摻雜濃度的

3、增大而增大。在遠離雜質(zhì)點處，電子局域態(tài)密度和電子分布等物理量依然保持均勻系統(tǒng)時的結(jié)果。
　　 在第四章我們應用Gutzwiller近似理論和BdG方程討論了多個非磁性雜質(zhì)對銅氧化物高溫超導材料電子局域態(tài)密度及相關物理性質(zhì)的影響。我們首先討論了三個以及四個雜質(zhì)的情況。我們發(fā)現(xiàn)，雜質(zhì)數(shù)目的增加導致雜質(zhì)影響的范圍擴大。而在五個雜質(zhì)對稱分布的情況下，I類雜質(zhì)分布密集，發(fā)現(xiàn)在雜質(zhì)周圍超導相干峰受到非常強烈的抑制，且零能峰的強度異常突出。I